| ■ProMOS
Technology、台中で3番目の300mm工場に着工（7/7） ■SMIC、中国・武漢に300mm工場建設を発表（6/29） ■Samsung Electronics、システムLSIライン向け追加投資を決定（6/28） ■Intel、65nmプロセス対応のFab24-2の稼動を開始（6/23） ■Spasion、2007年後半にも300mmラインSP1の稼働を開始（6/16） ■ルネサス テクノロジの06年度計画、売上高7.1%増、設備投資は横這い（6/9） ■AMD、Fab30を300mm対応に転換、MPU生産能力倍増へ（5/30） ■東芝、四日市工場に300mmウェーハ対応新棟を建設（4/5） ■デンソー、200mmウェーハ対応新工場を建設、幸田製作所の生産能力を増強（6/21） ■SICASが04年4Qデータを発表、全プロセス・ラインで稼働率が90％割れ（2/24） ■Infineon Technologiesが工場再編計画を発表、ミュンヘン工場の生産中止（2/24） ■東芝、四日市工場の300mmウェーハ対応新棟が竣工（2/21） ■エルピーダメモリが株式上場、DRAMトップ3入りに自信（11/16） ■NS、中国の後工程工場をオープン（10/19） ■日立製作所、パワー半導体工場を増設（9/28） ■ルネサス テクノロジ、ミツミ電機が千歳工場譲渡で基本合意（9/2） ■SICASが04年2Qデータを発表、全プロセス・ラインで稼働率が90％を突破（8/26） ■CSMC、中国・無錫市にFab2を着工（8/19） ■Samsung Electronics、04年度2Q半導体事業売上高は前四半期比11％増（7/20） ■PSC、04年6月業績も前年比3倍増（7/6） ■新電元工業、東根新電元に150mmウェーハ対応新工場棟を建設（6/18） ■Infineon Technologies、ポルトガルのメモリ後工程工場第2棟を開設（6/16） ■エルピーダメモリ、月産6万枚規模の300mm工場を新設（6/11） ■Inotera Memories、300mmウェーハでのパイロット生産に成功（4/19） ■東芝、四日市工場の300mmウェーハ対応新棟に着工（4/13） ■PSC、04年度1Q売上高は前年度比3倍増（4/13） ■ProMOS Technology、台中で300mm工場に着工（4/13） ■東芝、2006年度までに電子デバイス事業に5000億円を投資（4/12） ■Chartered Semiconductor、Fab7への300mm対応装置導入を開始（3/26） ■吉川セミコンダクタ、ウェーハテスト工程用工場を増設（3/24） ■2003年4QのMOSIC生産能力稼働率は90％を突破（3/24） ■Fairchild Semiconductor、Fab8を日産1200枚に拡張（3/1） ■UMC、SiSの半導体生産子会社を買収（3/1） ■世界の300mmライン投資額、2007年までに1000億米ドルを突破（2/26） ■世界の300mmライン、台湾企業が牽引（2/23） ■TSMC、Fab12の銅配線プロセス強化に3億1100万米ドルを投資（2/23） ■東芝、大分工場300mm新棟を竣工（2/20） ■世界の300mmライン、2006年には60以上に（2/20） ■NECエレクトロニクス、半導体後工程事業を再編（2/4） ■NECエレクトロニクス、台湾ASEにNEC山形の組立工場を譲渡（2/4） ■ソニー、65nmプロセス量産体制整備に1200億円を投資（2/3） ■STMicroelectronics、03年度売上高は前年度比15％増の72億米ドル（1/29） ■TI、2002年度売上高は98億3400万米ドル、04年投資は11億ドルを計画（1/27） ■Motorola、03年半導体事業部門売上高は前年比4％（1/23） ■SSMC、04年度に2億5000万米ドルの増強投資を計画（1/16） ■Intel、04年度設備投資は03年度並（1/15） ■松下電器産業、砺波工場増強に150億円を投資（1/14） ■UMCi、新工場にAMAT製RTP、窒化装置などを導入（1/13） ■松下電器、300mm工場を魚津に新設、投資額は1300億円（1/13） ■PSC、03年12月売上高は前年比2.8倍増（1/7） ■Amkor、アムコー岩手を100％子会社化（1/6） ■松下電器、魚津工場に新300mm工場を建設か（12/25） ■Nanya Technology、03年11月売上高は前月比2％減（12/11） ■FASL LLC、110nmプロセスの能力増強（12/10） ■東芝、四日市工場での300mmライン計画を前倒し（12/4） ■TSMC、取締役会が14億2760万米ドルの投資を承認（12/3） ■2003年第3四半期の世界半導体生産能力稼働率は過去最高に（11/27） ■NECエレクトロニクス、山形に300mmライン新設、2004年稼働を目指す（11/7） ■NECエレクトロニクス、2004年度から300mmライン導入を開始（10/24） ■NECエレクトロニクス、03年度上期は前年度比減収増益（10/24） ■Smsung、03年度3Q半導体事業は前期比27％増（10/22） ■Transmeta、富士通を90nmプロセスのファンドリ第1号に（10/16） ■Intel、03年3QのMPU出荷数は過去最高（10/15） ■Nanya、03年9月売上高は前月比7％減（10/14） ■ルネサス テクノロジ、90nm以降の最先端プロセスでの共同Fab構想を発表（9/10） ■トレセンティ・テクノロジ、2004年にはフル稼働へ（9/10） ■SICAS統計、2003年第2四半期半導体生産設備稼働率は改善進む（8/22） ■SICAS統計、2003年第1四半期半導体生産設備稼働率は82.8％とわずかに改善 (5/23) ■SICAS統計、2002年第4四半期半導体生産設備稼働率は81.9％に低下 (2/21) ■Intel、Fab12を300mmラインに転換 (2/19) ■JSR、液晶位相差フィルム工場を新設 (2/6) ■UMCi、300mm対応装置の導入を発表 (1/23) ■TI、2002年度4Q半導体事業は22％増 (1/23) ■三洋電機、CCD増産と青紫色半導体レーザ生産立ち上げを発表 (1/22) ■Samsung、2003年度の半導体投資は4兆1100億ウォン (1/17) ■Samsung、2002年4Qも成長続く (1/16) ■SiS、300mm工場計画を断念 (1/16) ■PSC、2003年1月に300mmウェーハ生産を月産1万枚に強化 (1/9) ■Samsung、韓国での300mm工場建設を計画 (1/7)（1月15日訂正） ■Hwaya Technologyは2003年末までに稼働開始 (1/7) ■2005年には68の300mmラインが稼働開始 (12/20) ■東芝、九州地区の半導体後工程工場を統合 (11/21) ■三菱電機、新日本無線に福岡製作所E棟を売却 (11/15) ■Infineon TechnologiesとNanyaTecynoogyがDARM製造合弁会社を設立 (11/14) ■Infineon Technologies、2002年度売上高は8％減 (11/13) ■Philips、米アルバカーキ工場の閉鎖を発表 (11/13) ■AMD、2002年度第4四半期は前四半期比20％増見込む (11/13) ■東芝の電子デバイス事業、2002年度は増収増益の見通し (10/28) ■NEC、2002年度半導体事業は10％弱の成長を予想 (10/28) ■Intel、300mm対応Fab11xを開設 (10/25) ■富士通、Amkorへの組立子会社への譲渡を中止 (10/21) ■日立製作所、三菱電機、半導体新会社「ルネサス テクノロジ」を設立 (10/4) ■PSC、300mmラインの立ち上がりは順調 (10/4) ■Hynix Semiconductor、TFTLCD事業を中国企業に売却 (9/30) ■SMIC、北京工場に着工 (9/24) ■沖電気工業、設計、製造の機能を完全分離 (9/6) ■沖電気工業、UMCグループと半導体事業で包括提携 先端プロセス製造はUMCに委託 (9/6) ■NS、中国に後工程工場建設を計画 (8/16) ■TSMC、90nm銅配線プロセスの強化投資を推進 (8/7) ■UMC、AMD、Infineon Technologiesが65nm/45nmプロセスを共同開発 (8/2) ■IBM、300mm対応量産工場を開設 (8/2) ■Atmel、アーバイン工場を閉鎖 (7/30) ■NEC、半導体事業分割子会社NECエレクトロニクスの概要発表 (7/29) ■富士通、2002年度半導体事業売上高を上方修正 (7/29) ■Chartered Semiconductor、2002年度第2四半期業績は予想を上回る (7/22) ■TI、300mm Fabの生産を開始 (7/19) ■Microchip Tdechnology、富士通グレシャム工場を買収 (7/19) ■Intel、2002年第2四半期売上高は前期比7％減 (7/17) ■東芝、富士通、半導体事業で包括提携 SoC事業を中核に相互補完型ビジネスモデル目指す (6/20) ■つくばに3プロジェクト使用のクリーンルームが完成 (6/18) ■ソニー、PDP事業でNECと交渉 (6/7) ■シャープ、化合物半導体の新工場の稼働を開始 (6/6) ■UMCi、300mm工場の設備関連業者を選定 (6/5) ■セイコーエプソン、鳩ヶ谷工場を閉鎖 (6/3) ■2002年度第1四半期の半導体生産ラインの稼働率は急回復 SICASがデータを発表 (5/23) ■NEC、半導体事業を分社化、システムLSI企業としての発展目指す(5/17) ■PSCが2003年末までに第二の300mm工場建設を計画 (5/15) ■三菱電機、半導体事業改善策を発表 生産体制の再構築、協業などが柱 (5/13) ■ロームの2002年度半導体事業は売上高、設備投資額とも増額へ (5/10) ■Winbond、0.11μmDRAM技術でInfineon Technologiesと提携 (5/8) ■TSMC、692億7500万台湾ドルの投資計画を発表 (5/8) ■国内半導体企業大手10社、2002年度半導体生産高は二桁増 (5/7) ■Hynix、取締役会でMicronへのメモリ事業売却を否決 交渉は白紙に (5/1) ■三洋電機、半導体事業は2001年度も黒字確保、液晶事業は2002年度に倍増見込む (4/30) ■松下電器産業の半導体事業、2002年度は20％増を計画 (4/30) ■ソニーの2002年度見通し、半導体事業は横這い、LCD事業は42％増 (4/30) ■TI、設備稼働率は60％以上に回復 (4/25) ■MicronがHynixのメモリ事業を買収 (4/23) ■LSI Logicが90nmプロセス「G90」を発表 (4/23) ■ST Microelectronics、Alcatelのマイクロエレクトロニクス事業を買収 ミクスト・シグナルIC事業は転売 (4/17) ■東芝、四日市工場のフラッシュメモリ製造拠点化を促進 フラッシュビジョンを移転 (4/16) ■Samsung、メモリ向け投資を強化 (4/15) ■Hynix Semiconductor、2002年度第1四半期は過去最高益 (4/15) ■UMCiの新工場建設は順調、2003年1月までに設備導入 (4/12) ■東芝、半導体後工程統括会社を設立 (4/11) ■2002年の韓国半導体産業は14.9％増、KSIAが予測を発表 (4/8) ■IBM、ソニー、SCEI、東芝、100nm～50nmの先端プロセスを共同開発 (4/3) ■TSMC、2002年設備投資額を増額修正 (4/1) ■GSMC、ChipPACと組立テスト工程で提携(02/3/28) ■SMIC、0.18μmプロセスによる試作に成功(02/3/26) ■Micron Technology、Dominion Semiconductorの300mm化の可能性を示唆(02/3/26) ■Infineon Technologies、台湾Winbondと0.11μmプロセスでのDRAM開発で提携(02/3/22) ■TSMC、ST Microelectronics、Philipsが90nmプロセスを共同開発(02/3/7) ■「日本はブロードバンドの牽引車に」、 Intelのグレッグ・バレット会長が日本市場の成長性に期待(02/3/1) ■世界半導体生産、生産能力は減少も稼働率は上昇に(02/2/27) ■日立製作所とUMCが合弁解消、トレセンティ・テクノロジーズは日立の100％子会社に(2002/2/20) ■AMD、UMC、合弁でシンガポールに300mm工場を設立 (2002/2/6) ■沖電気工業、2001年度業績予想を下方修正。電子デバイス事業も赤字に転落 (2002/2/4) ■NEC、事業構造改革加速により2002年度半導体事業黒字化に自信 (2002/2/1) ■LSIロジックが国内生産能力を削減、工場閉鎖・売却も視野に(2002/1/30) ■Micron、Hynixの提携交渉が難航の模様 (2002/1/29) ■パワーチップ、2003年第1四半期にも300mm工場で量産開始(2002/1/10) ■NEC、スコットランド工場の稼働停止を発表(12/19) ■東芝、汎用DRAMから撤退、米子会社の設備をマイクロン・テクノロジーに売却(12/19) ■富士通、グレシャム工場の生産を停止(12/11) ■日立製作所、HNSのDRAM生産を再度縮小(12/3) ■東芝、2001年度半導体売上額を再下方修正、6800億円に(10/31) ■日立製作所、半導体事業再編案を発表(10/22) ■NEC、半導体事業の構造改革追加施策発表(10/9) ■エルピーダメモリ、半導体新工場の装置導入、稼働開始を延期(9/28) ■日立製作所、緊急経営施策と事業戦略の抜本的見直しを発表(9/14) ■富士通、構造改革と中期事業戦略を発表(8/31) ■東芝、半導体事業を大幅再編、DRAM事業の分離・独立を図る(8/28) ■AMD、2001年度第2四半期は大幅な減収減益(8/8) ■NEC、半導体事業で大幅構造改革(8/8) ■TI、2001年度第2四半期業績も減収減益(7/31) ■NECの2001年度第1四半期業績、全社は増収もエレクトロンデバイスは減収減益(7/31) ■富士通、2001年度業績見通しを下方修正、半導体投資も500億円削減(7/31) ■インテル、2001年度第２四半期収益は前年度同期比94％減(7/31) ■横河電機、保全業務効率向上を通してトータル保全コストの削減を実現する設備保全管理システム「eHOZEN」を開発・発売(7/18) ■東芝、半導体設備投資を削減、1000億円に(7/5) ■アジール・システムズ、生産能力を大幅削減(7/5) ■NEC、情報セキュリティ評価基準の工場認証を取得（7/5） ■東芝、大分工場アネックス棟第2期クリーンルーム完成(6/21) ■LSIロジック、コロラド・スプリングス工場をX－FABに売却(6/20) ■アムコーの中国工場、顧客の資格認証に向けた体制を確立(6/20) ■フラッシュビジョンが512Mフラッシュメモリの生産を開始(6/11) ■ASML、インフィニオン・テクノロジーズから300mm対応ステッパを受注(6/8) ■インテル、300mmウェーハ対応研究・実証施設を開設(5/18) ■SSMCが稼働開始(5/15) ■ザイリンクス、UMCとトレセンティ・テクノロジーズと共同で300mmウェーハ製品（5/7） ■インフィニオン・テクノロジーズ、300mm量産工場への装置導入を開始(4/26) ■LSIロジック、コロラド・スプリングスの製造工場を閉鎖(4/17) ■STM、モロッコに新組立・テスト工場(4/13) ■NEC、ローズビル工場を縮小（4/13） ■日立製作所、アキタ電子を完全子会社化(4/10) ■東芝、2003年度半導体事業売上高1兆6500億円を目指す(4/4) ■東芝、大分工場配線工程工場棟を本格稼働(4/4) ■AMD、シンガポールのテストおよびデザイン施設の拡張に着工(2/28) ■昭和電工、半導体向け特殊ガスでシンガポールに進出（2/23） ■古河電工、WDM用光部品の生産体制強化に102億円を投資（2/22） ■サイプレス、ハイバンド・セミコンダクターを買収(2/6) ■横河電機、安藤電気の株式33％を取得し筆頭株主に（2/1） ■アジレント・テクノロジーズ、光通信コンポーネント・メーカーを買収(1/31) ■ルーセント、2001年度1Qの業績を発表(1/25) ■LSIロジック、2000年度第4四半期の業績を発表(1/25) ■TI、2001年度第1四半期も前期比10％減と予測（1/23） ■トランスメタ、2000年度4Qの業績を発表(1/22) ■AMD、2001年も15％増を目指す(1/18) ■インテル、2001年度の設備投資額は75億ドルに(1/18) ■NEC、上海の半導体生産拠点の生産能力を増強(1/12) ■モトローラ、2000年度4Qの業績を発表(1/11) ■ブロードコム、サーバワークス社を買収(1/10) ■NEC、光半導体／マイクロ波半導体事業を分社化(1/10) ■三菱電機、300mm対応工場の建設計画を発表(1/10) ■東芝の2001年度投資は2000年度比横這いから微減(2001/1/10) ■SiS、300mm工場着工を発表（12/22） ■日立電線、台湾の化合物半導体メーカーに出資しOEM傘下に（12/22） ■UMC、シンガポールに300mmウェ－ハのファンドリ会社を設立(12/18) ■NS、2001年度2Q業績を発表(12/11) ■インテル、2000年度4Qの売上予測を下方修正(12/11) ■エルピーダメモリ、300mmウェーハ工場の新設を発表(11/29) ■アナログ・デバイセズ、広帯域アクセス通信関連企業を買収(11/22) ■住友電気工業、化合物半導体事業を強化(11/13) ■IBM、上海に半導体組立工場を建設(11/1) ■ルーセント・テクノロジーズ、光通信用コンポーネント事業に6500万ドルを投資(10/25) ■モトローラ、2000年度3Qの業績を発表（10/16） ■IBM、過去最大の50億ドル規模半導体投資を発表(10/11) ■NEC、スコットランド工場の稼働停止を発表▼NECは2001年12月18日、2002年4月で英国スコットランドの子会社NECセミコンダクターズ（UK）の稼働を停止すると発表した。従業員1260名は同年3月までに解雇する。また、同工場で生産している製品に関しては国内工場、上海華虹電子などに振り分ける。なお、同社では半導体市況の回復状況によっては再稼働も検討するとしている。 
（2001年12月19日） ■東芝、汎用DRAMから撤退、米子会社の設備をマイクロン・テクノロジーに売却▼東芝は2001年12月18日、汎用DRAMの製造、販売から撤退することを発表した。これに伴い米国子会社のドミニオン・セミコンダクター（Dominion Semiconductor）社の土地、建物およびModule1に設置されているDRAM生産設備を2002年１月末をメドに米マイクロン・テクノロジー（Micron TAechnology）社に売却することで基本的合意に達したことを発表した。DRAMの営業権、特許権などの知的財産権に関しては売却の対象とならない。同ラインの生産能力は現在200mmウェーハで月産1万7500枚。2002年6月までは移行期間として生産を継続するが、同月末をメドに特定ユーザー向けの例外品を除いて、四日市工場での生産、台湾ウィンボンド・レクトロニクス（Winbond Electronics）社からの調達も含めて、汎用DRAM事業から撤退する。ただし、DRAM開発に関しては、SoC用エンベデッドメモリなどとして今後重要度が増してくるDRAMコア技術の開発は継続していく。また、Play Station2向けなど特定顧客、特定用途向けの事業は継続する。同社の今年度のDRAM事業規模は約600億円、うち約400億円が汎用DRAMとなる見込み。DRAM組立拠点である「四日市東芝エレクトロニクス株式会社」も2002年6月末をメドに解散を含めた体制の再検討を行う。 汎用DRAM撤退後はNAND型フラッシュメモリを核として、大容量NOR型フラッシュメモリ、FCRAM、特定ユーザー向けDRAMなどアプリケーションに最適化したメモリ製品で事業を展開していく。 現在、ドミニオン・セミコンダクターのModule2では、東芝と米サンディスク（SanDisk）社との合弁企業であるフラッシュビジョン（FlashVision）社が行っているNAND型フラッシュメモリの生産については、生産設備を四日市工場に移設する（同ラインの生産能力は200mmウェーハで月産1万7500枚）。国内移設後も合弁関係は維持する。移設先は同工場第2クリーンルームとなる可能性が高い。同工場をメモリ事業の製造拠点として、メモリ事業に関する技術、生産管理などの本社機能を、2002年6月末までに四日市地区に集中する。これに伴いAMCなどの研究・試作機能に関する再配分の検討を行っていく。 同社では今回の措置によりメモリ事業の人員を現在の4000人から2000人に削減する。削減の内訳はドミニオンで1400人、国内で600人となる。このほか半導体事業全体でクリーンルームの30％削減、組立能力の30％減などの合理化を進めている。それに対応して、売却などに伴い300億円、その他の半導体事業合理化で100億円、合わせて400億円の特別損失は2001年度で処理する。 今回のメモリ事業構造改革により、メモリ事業の固定費を20％削減、限界利益率を10％上げることが可能になるという。その結果、2002年度には半導体事業売上高が今年度見込み（7000億円）から横這いでも黒字転換を可能にする体制構築を目指す。 「先行すれども、儲からず」で汎用DRAMへの決別を決定 同社では8月に策定した「01アクションプラン」の中でメモリ事業の再編計画を打ち出していた。「開発で先行しても、それに見合うだけの先行者利益が得られなくなった」（東芝・岡村社長）という市場の構造変化に対応するため、DRAM事業の分離を計画した。しかし、その時点ではDRAM事業は分離するものの、他社との合弁による事業の存続を目指しており、交渉相手として独インフィニオン・テクノロジーズ（Infenion Technologies）社、韓国・サムスン電子（Samsung Electronics）社などの名前が挙がっていた。DRAMは市場の波は大きいが、得られる利益も大きいことから、「撤退」に対しては慎重な姿勢を見せていた。その後、交渉の過程でもDRAM市況の悪化が続き、同社の業績悪化も加速していることから、「売却、撤退」へと方向を転換、11月からはマイクロンとの交渉に入っていた。 東芝の撤退により自社で汎用DRAM事業を展開する国産メーカーは無くなり、NEC、日立製作所の合弁企業であるエルピーダメモリが残るのみとなった。
（2001年12月19日） ■富士通、グレシャム工場の生産を停止▼富士通は2001年11月30日、米国子会社である富士通マイクロエレクトロニクスのグレシャム工場（オレゴン州）での半導体生産を2002年1月末を目途に停止し、同工場を閉鎖することを発表した。同工場で生産中のフラッシュメモリは米アドバンスド・マイクロデバイセズ（Advanced Micro Devices：AMD）社との合弁である富士通エイ・エム・ディ（FASL）に生産を集約する。グレシャム工場に関しては2001年夏以降、AMDとの合弁事業化などの方策を模索していたが、市況停滞の長期化が予想されることから今回の閉鎖となった。
（2001年12月11日） ■日立製作所、HNSのDRAM生産を再度縮小▼日立製作所は2001年11月29日、シンガポールのDRAM生産拠点である日立日鉄半導体（HNS）の稼働率を現在の60％から30%に縮小することを発表した。生産縮小に合わせて従業員数を2001年11月までに430名削減、550名としている。現在同工場では64M、256MDRAMを生産しているが、SRAM、フラッシュメモリ、SuperHマイコン、F－ZTATマイコンなどの試作も進めており、2002年度上期には量産を開始する計画である。
（2001年12月3日） ■東芝、2001年度半導体売上額を再下方修正、6800億円に▼東芝は2001年10月26日に2001年度中間期決算および2001年度通期見通しを発表した。同年度中間期の全社売上高は2兆5106億円で前年度同期比11.2％減、1231億円の純損失となった。通期では前年度比8.3％減の5兆4600億円、2000億円の純損失を見通している。半導体関連では同年度上期売上高は3750億円、前年同期比35％減、通期見通しでは前年度比38％減の6800億円にまで落ち込むことが予想されている。期初計画からは4200億円の減額となっている。全製品分野でダウンしているが、メモリは60％近いダウンが見込まれている。設備投資額は500億円で、期初計画の1400億円から900億円減、前回修正値の800億円からも300億円の減額となっている。
（2001年10月31日） ■日立製作所、半導体事業再編案を発表▼日立製作所半導体グループは2001年10月19日、半導体事業の再構築計画の発表を行った。骨子は事業分野の選択と集中、製造拠点の整備・効率化、固定費の削減である。この再構築により2002年度の黒字化を実現、さらなる業績向上を目指す。 事業分野の選択と集中では、事業を成長のコアビジネスとなる"分野対応ビジネス"と事業基盤を支える"汎用品ビジネス"とで構成し、事業の選択と選択事業へのリソースの集中を行う。また、製造拠点に関しては甲府工場、高崎工場、日立北海セミコンダクタ・津軽工場、同・千歳工場、那珂工場での各1ラインの整理、後工程拠点の集約を進める。固定費削減に関しては、国内連結ベースで2001年度末までに約3100人を削減するほか、設備投資圧縮、償却費の削減などにより今年度中固定費を約25％削減する。 分野対応ビジネスでは、フラッシュメモリ内蔵型マイコン「F－ZTATマイコン」の強化、携帯電話向けアプリケーション・プロセッサの強化、メモリの非コモディティ分野への特化が上げられる。F－ZTATマイコンでは、H8シリーズの製品としてPC周辺機器、ネットワーク機器、自動車関連、家電、光ディスク製品などを重点分野に製品開発を注力する。SuperHシリーズ製品としては自動車のパワートレイン制御、デジタル・コンシューマ、産業機器などを重点分野として開発を進める。また、プロダクト・マーケティング要員を拡充、デザイン・ウィンの獲得を目指す。 携帯電話向けアプリケーション・プロセッサについては、SuperHマイコン「S－MAP」の開発を強化し、デファクト・スタンダードを目指す。さらに自動車情報システム、デジタルコンシューマでもアプリケーション・プロセッサ開発を進める。メモリに関しては多種のメモリを実装した次世代携帯電話向け多段積層パッケージ品とセキュリティ機能付きマルチメディアカードに特化する。 また、生産面でトレセンティ・テクノロジーズ（TTi）、シンガポールのHNS、那珂工場N2ラインで量産を行う。TTiに関してはシステムLSI、高性能マイコン、超高速SRAMなどの投入を進める。HNSではDRAM生産を絞り込もう、SRAM、フラッシュメモリ、F－ZTATマイコン、SuperHマイコンなどの生産を強化する。DRAM生産削減に伴い、同社従業員数を2001年度末までに1300名から1000名に削減する計画であるが、需要によってはさらに削減する。 汎用品ビジネスでは、アナログIC、標準リニア、パワーアンプ、標準ロジック、トランジスタなどの汎用半導体事業と汎用マイコン事業で新会社を設立する。汎用半導体事業事業では日立製作所同事業部門の主要部分と日立東部セミコンダクタを統合、2002年10月をメドに新会社を設立する。2000年度約1600億円の同事業分野売上高を2004年度には約2000億円以上に拡大する。 汎用マイコンビジネスでは、自社汎用マイコン部門と日立北海セミコンダクタを中心に汎用マイコンの設計製造一貫体制を2001年10月1日付けで整備した。これにより、2000年度約1300億円の売上を2004年度に約1600億円以上に拡大する。 製造拠点に関しては、甲府工場ではK６ラインの一時凍結に加えて、2002年8月までに新たにLCDドライバ製造の1ラインの生産を中止、同工場の他ラインに集約する。高崎工場では2001年12月までにRF－IC、民生向けロジックICの1ラインを、日立北海セミコンダクタではH8マイコンを中心に、2001年12月までに津軽工場の1ライン、2002年3月までに千歳工場の1ラインを、それぞれ集約する。また、H8マイコンやASICの製造を行う那珂工場のN1ラインに関しても2002年3月までの甲府工場などの他ラインに集約する。さらに小平地区の試作ラインを2001年9月に停止しており、設備の他ラインへの移設を進めている。 後工程拠点に関しては2002年9月までに13拠点を8拠点に集約する。また、メモリやパワートランジスタなどの後工程を、日立半導体（蘇州）有限公司（HSSC）、日立セミコンダクタ・マレーシア（HISEM）に集約する。国内ではアキタ電子雄和工場のメモリ組立を停止、2002年3月までに日立米沢電子などに集約する。雄和工場には天王工場で行っている他社向け生産を移管、天王工場を閉鎖する。これに伴いアキタ電子を2002年4月1日付でエンジニアリング専業会社と日立以外の顧客向け製造子会社の2社に再編する。日立米沢電子では子会社である羽黒電子の窪田工場の後工程ライン（マイコン組立）を2002年3月までに自社構内に移設する、日立ハイコンポーネンツでは津軽分室の後工程を自社工場等に集約する。日立東京エレクトロニクスでは本社工場で行っているLCDドライバのTCPパッケージの一部の後工程を2002年9月までに甲府工場に移設、甲府工場にLCDドライバの一貫生産体制を構築する。また、汎用マイコンの後工程を2002年3月までに日立北海セミコンダクタ函館工場、日立米沢電子に集約する。集約後の本社工場は後工程実装関連のマザーファブとして拡充を図る。台湾の日立高雄電子ではパワートランジスタの後工程を2002年９月までにHISEMに集約する。同工場では日立以外の顧客向けパワートランジスタ及び液晶表示製品などについては生産を継続する。
（2001年10月22日） ■NEC、半導体事業の構造改革追加施策発表▼NECは2001年9月28日、半導体市況の一段の悪化による業績予想修正に対し、2001年7月に発表した半導体事業の構造改革施策の実行を加速するのに加え、さらに追加施策を実行すると発表した。 今回の業績予想の修正で、2001年度連結中間業績予想値は2001年7月27日発表の売上高2兆6000億円から2兆5000億円となった。連結通期業績予想は2001年4月26日発表の5兆8500億円から5兆3400億円となった。今回の業績予想の修正理由として同社は、7月の修正を発表して以降、世界的なIT投資需要の減速を背景に株式市場も調整色を強め、景気後退感がはっきりしてきたこと、9月11日に米国で起きた同時多発テロにより、米国経済の早期回復への期待が後退したとしている。そうした中、パソコン市場の低迷の国内市場への急速な広がり、米国通信市場の急減速、メモリを中心とした半導体価格の一層の下落と需要の低迷、現下の事業環境は前回予想時に比べてさらに厳しい状況となったとしている。 このような状況に対応して、半導体事業構造改革で追加施策を行うことを発表した。「更なる固定費削減による費用構造改革の実行」「システムLSIを軸とした事業の強化」「DRAM事業の再構築」「エレクトロンデバイス全体の組織改正」の4つである。これらを実施することで、来年度の業績のV字回復を図る考え。 「費用構造改革」は、本年7月には、NECエレクトロンデバイスの損失分岐点を2002年度までに2000年度比1000億円引き下げると発表していたが、更なる固定費削減による費用構造改革を行うというもの。1000億円の追加引き下げを行い、損失分岐点を2000億円引き下げることにした。2002年度の固定費は2000年度比で14％削減される。削減の具体的な施策は、以下のようなものである。（1）生産ラインの適正化。具体的には、7月に発表したNECセミコンダクターズ（UK）の生産能力の半減やNEC相模原事業所の旧試作ラインの閉鎖に続いて、2001年度中にNEC九州の第7拡散ライン（150mmウェーハ・月産3万枚）を閉鎖する。また、NECエレクトロニクス（US）・ローズビル工場の拡散能力を現行の月産2.5万枚（150mm）から1.4万枚に追加削減を行う。これにより、現有の拡散能力は2001年度末までに2000年度比15％削減とし、稼働率の向上を図る。組立ラインについては、北米と英国での組立は撤退し、シンガポール、マレーシア、インドネシアを主力工場に位置づける。国内は、九州・山形・関西の3グループに統合し、九州、山形はシステムLSI、関西を汎用デバイスの拠点として集中し、協力会社の自立化を促進する。人員についても、7月に発表した4000人からさらなる固定費削減のために、ほかのカンパニーへの配転を図るなど、人材の流動化を促進するとしている。 NECエレクトロンデバイスの設備投資は、4月時点で1700億円、7月時点の1200億円から今回の見直しでは970億円とし、2000年度実績2500億円に対して60％削減するとしている。このうち半導体の設備投資を見ると、2000年度実績が2170億円だったのに対して、4月時点では1440億円、7月時点では980億円、今回の見直しで800億円になった。また、これらの施策を実施するために、今年度1000億円の事業構造改革費用を特別損失に計上する。 システムLSIを軸とした事業の強化については、まず国内は半導体設計子会社2社を事業統合する。日本電気マイコンテクノロジーのすべての事業をNECマイクロシステムに営業譲渡し、ハードウェアとソフトウェアの一貫開発体制を実現し、事業の効率化、開発期間の短縮、経営スピードの向上、顧客へのソリューション提案力の向上を狙う。統合会社の社名は「NECマイクロシステム株式会社」、平成14年1月1日設立予定、資本金2億円（NEC100％）、従業員は約1700名としている。事業規模は約220億円。社長は未定である。このほかに、顧客対応のSEを大幅に強化するとし、10月1日付けで製品別技術部門を販売技術部門に統合し、SEを150名から400名にする。 欧米においては、シリコンバレーの先端IPを取り込むため、NECエレクトロニクスに出資・提携による新技術開発を行う「テクノロジー・インキュベーショングループ」を2001年8月に新設し、すでに、9月には通信チップのファブレスベンチャー企業「Jubilant Communications社」に出資している。今後も優良ベンチャー企業を探索するとしている。また、汎欧顧客への一貫対応への転換を目指し、すでにアプリケーション別の事業運営を行っているが、さらに現在国別にある5販社を2002年4月に1社に統合し、先進顧客にデバイス・ソリューションを迅速に提供できる体制を構築する。 システムLSI事業強化施策には、先進技術強化も打ち出しており、今後は、多様なニーズ、微細化では困難な技術など克服するため、アナログ的な技術の蓄積、設計インフラを構築する。試作、量産ラインの同一ロケーション化による短TAT化やDRAM混在のプロセスに注力し、強みにしていく計画も立ている。 NECエレクトロンデバイス全体の組織改正は、システムLSIを軸にした事業体制を転換するため、10月1日付けで実施する。具体的には、（1）本部長を中野エグゼクティブアドバイザーとして、構造改革推進本部を新設する。（2）スタッフ部門を約2／3にスリム化する。（3）システムLSI事業本部のリソースを増強する。（4）NEC化合物デバイスを分社化（弊社既報）するとともに、個別半導体事業本部を廃止、汎用デバイス事業本部を新設する。（5）メモリ事業本部を廃止する。 同社は、これらの構造改革施策を迅速に実行することに加え、既報のエルピーダメモリの設備導入時期の延期をしていくことで、DRAM事業を再構築し、来年度の実績を確実にしたいと考えている。
（2001年10月9日） ■エルピーダメモリ、半導体新工場の装置導入、稼働開始を延期▼エルピーダメモリは2001年9月28日、NEC広島敷地内に、300mmウェーハのDRAM専用工場の建設（着工2001年2月）を進めていたが、設備導入を2001年12月から2002年9月に延期することを発表した。これにより、稼働開始時期も2002年4月から延期されることになった。延期の理由については、DRAM市況の悪化に加え、米同時多発テロ事件により市況の先行きが不透明になっているためとしている。同社は現時点では、稼働開始時期を未定としているが、工場立ち上げの期間を通常よりも短くしたいと考えている。また、今回の稼働延期に対し、NECと日立製作所はNEC広島とHNSからの製品供給を継続する考え。
（2001年9月28日） ■日立製作所、緊急経営施策と事業戦略の抜本的見直しを発表▼日立製作所は2001年8月31日、中期経営計画「i.e.HITACHIプラン」の実現に向けて、1999年4月から事業構造の転換や経営改革を実行してきたが、市場環境の急変による業績悪化を踏まえ、緊急経営施策の実施と事業戦略を抜本的に見直すことを発表した。 今回の2002年3月期業績見通しの修正要因として、米国景気の急激な減速に伴う影響が世界的に広がり、パソコンや携帯電話などのIT（情報技術）関連の需要低迷が期初の予想以上に長期化しているため、この影響を受け同社グループの半導体・ディスプレイなどの需要の大幅な落ち込み、価格の下落があり、売上高、利益ともに期初見通し数値を大幅に下回るためとしている。2002年3月期連結売上高の通期見通しは、2001年4月（2001年度期初）発表の8兆7500億円から7兆8500億円に修正した。本年度下期からは、グループ本社機能を強化し、新たに日立独自の付加価値評価指数「FIV（Future Inspiration Value）」の導入や新セグメント単位での事業ポートフォリオを再評価することなどを決めた。 緊急経営施策は、全社的に固定費の削減をするとして、事業グループごとに削減目標を設定し、本年度末までに年間の固定費水準を全社で600億円削減する。子会社においても、電子デバイス、高機能材料などの業績悪化の顕著な部門を中心に生産拠点の整理統合、人員削減などによる固定費の削減を進め、連結ベースでは約1300億円の削減を目指す。人員削減は、連結ベースでは、自然減などのほか、半導体グループ、ディスプレイグループを中心とした事業再構築などで、本年度末までに約1万4700人（国内1万200人、海外4500人）を削減する。設備投資計画は抜本的に見直し、原則として凍結、合理化・原価低減など、最低限必要な投資案件に絞り込むとしている。なお、供給過剰の状態が著しい半導体事業の2001年度の設備投資額当初予定の1400億円を600億円に削減し、キャッシュフローの悪化防止に努める。 そのほか、経営効率の向上を目指すため、コーポレート・イノベーション・イニシアチブ（CII）を確実に実行するとしている。これは、3つのプロジェクトからなり、一つ目は調達リニューアルプロジェクトとして、調達仕様・方法の見直し、ネット集中購買の活用、物流コストの大幅低減を軸に、連結ベースで資材調達コストを2年間で20％（約6000億円）削減する計画である。これはすでに本年度上期において計画を上回る成果を挙げている。二つ目は、Cプロジェクトとして、戦略投資資金の確保、有利子負債の圧縮を図るべく、「棚卸資産」と「売掛債権」の手持ち数を2003年3月末までに25％圧縮（2000年9月末比）しキャッシュフロー1兆円の改善を図るというものである。現在2001年9月末の時点では、「棚卸資産」と「売掛債権」の手持ちの日数の約10％短縮を目標に推進中。三つ目はA計画として、各事業グループ・各部門において、2～3年以内にトップ集団を走る事業および業務を育成するという計画で、具体的には、本計画の対象製品、サービスについては、2000年度の売上規模を、2001年度には1.5倍に、2002年度には2倍にする。 半導体事業としては、事業の選択と集中、事業体制の再構築、業績改善の施策の3つを進めるとしている。事業の選択集中では、同社が強い製品、もしくは、成長性が高い製品・分野に経営資源を集中する。汎用品ビジネスでは、汎用半導体、汎用マイコン、システムメモリの中で注力する製品群を選択し、その製品のラインァップの強化をすることで、市場のカバー範囲を拡大する。分野対応ビジネスでは、モバイル・ネットワーク、デジタル民生機器、車載情報システムのマーケットの中で注力分野を選択し、システムソリューションや応用マイコン、システムLSIなどの応用製品を集中的に投入することでシェアの拡大を図る。事業構造の再構築は、汎用半導体部門の一部と日立東部セミコンダクタを統合し、汎用半導体の営業・設計・製造一貫会社を2002年度中に設立し、開発能力の強化とコスト低減を実現する。汎用マイコン部門と日立北海セミコンダクタを中心とした汎用マイコンの設計・製造一貫体制を本年10月をメドに整理し、収益の向上を図る。トレセンティテクノロジーズは、高性能かつ短納期、低コスト化が要求されるシステムLSIやフラッシュメモリ、SRAMを投入することで稼働率を向上させ、収益の改善を図るとしている。また、業務改善の施策として、前工程については、すでに凍結している甲府地区の一部の製造ラインに加え、那珂地区、甲府地区、高崎地区、小平地区、日立北海セミコンダクタにおいても稼働率が低いラインの生産を一時凍結し、19ラインから13ライン体制とする。後工程については、関連会社の製品の整理統合を進め、2002年度までに順次、現在の13拠点を8拠点に集約する。DRAMの生産拠点であるHNS日立日鉄半導体（シンガポール）社では、生産量を需要に合った規模に絞り込む。また、エルピーダメモリについては、開発、設計、製造、販売の一貫体制を確立した上、業績の回復とともに株式公開を目指すとしている。人員削減は他事業グループへの異動を含め国内連結ベースで本年度末までに約2000人削減し、設備投資圧縮による消却の削減とあわせて固定費を20％削減する。また、本年度の設備投資は600億円を見込んでいる。 事業ポートフォリオの見直しによる事業強化策として、セグメントを新しくし、7つの部門にする。各部門でのポートフォリオの再評価行うことで、連結企業としての事業戦略を明確にしていく。セグメントの変更で、旧セグメントの情報・エレクトロニクスは、新セグメントでは情報通信システム、電子デバイス、デジタルメディア・民生機器の三つに別れる。また、2002年度には再評価の結果に基づき、中核事業として強化すべき事業については、経営リソースの集中配分やM＆Aなどを積極的に活用して、事業拡大を図る。撤退すべき事業についても明確にするとしている。同社ではこの新セグメント別の連結運営を本年10月から実施し、マーケットの変化にスピーディーに対応できるオペレーション体制を構築すべく、分社化、関連会社の統廃合などの事業再編を強力に進めていくとしている。
（2001年9月14日） ■富士通、構造改革と中期事業戦略を発表▼富士通は2001年8月20日、現在の市場動向に対応するため、2001年度を「徹底した構造改革の年」と位置づけて構造改革と新たな中期成長戦略を発表した。 同社は市場の厳しい現況を、世界規模での企業のIT投資抑制と個人需要の低迷によるものとし、市況回復は2002年度以降の緩やかなU字型で進むと予測している。しかし、2000年以降市場環境の質的変化が一層加速すると見られることから、2001年は徹底した構造改革をし、プロダクトビジネスの競争力強化とゼロ成長を前提とした事業構造改革をすることとした。コアビジネスのリソースの集中と事業のスリム化を図るため、各グループでの事業の統廃合、整理、人員の削減を図る。人員については、1万6400人（海外1万1400人、取引先を含め国内5000人）を削減し、異動を含めて2万1100人を対象とする。コアビジネスの強化については、将来に向けての新事業の展開を図るとして、中期戦略として今後は、「ブロードバンド・インターネットの時代に中核をなすIT企業」として、ソフト・サービス分野の事業と、新技術の開発に投資を注力していくとしている。具体的には、全事業部門のソフト・サービス化を加速させるのと、インフラ・サービスに注力する。また、技術開発については、投資をコア・テクノロジ、プロダクトである最先端デバイス、光技術、モバイル技術、高信頼性サーバ＆ファイル技術、DWDMに一層集中させるとしている。さらに、これらの計画の実施に伴いグループとしての競争力を強化していく。構造改革に要する資金としては、本年度総額3,000億円を特別損失として計上した。 電子デバイスグループとしては、海外を含む本社に1250億円、国内関係会社には200億円の費用を計上し構造改革を進める。 具体的対策としては、開発の拠点をあきる野テクノロジセンターに集中させる。また、生産・製造をスリム化するため、グレシャム工場は同社とAMDが50％ずつ出資する合弁会社へ移管し、AMDが運営をすべて受け持つ。国内前工程ラインの会津、岩手、三重の3工場のラインは統廃合し、現在の12ラインから9ラインにする。同様に後工程も担当会社を整理統合し、7社から5社にする。関係会社については、化合物半導体、SAWデバイス、コンポーネントなどの関係会社は、事業のスリム化をし、PDPは宮崎工場2番館へ集約、LCDは分社化による事業の効率化をするなどの構造改革を計画している。 電子デバイス部門の今後の事業方針としては、デジタルAV向けのソリューション、ネットワーク機器向けの高性能ASICなど、システムLSI製品、光デバイスのモジュール化に集中していく。フラッシュメモリに関しては、AMDとの連携の強化を図っていく。また合理化だけでなく、先端テクノロジの開発にも力を入れ、次世代プロセッサの開発（0.1μmプロセス）、光部品などに集中していくということだ。 同社では、情報処理グループ、通信ビジネスグループ、ソフト・サービスグループでもこうした構造改革を実施し、全体で固定費を年間1,000億円削減（2年間で2000億円）、ゼロ成長でも収益の出せる体制を作っていく。今後はブロードバンド・インターネットによるネットワークで提供されるソフト・サービスの新分野に注力していくとし、電子デバイスグループはコア・テクノロジ／プロダクトに集中し、グループとして競争力を強めていく考え。
（2001年8月31日） ■東芝、半導体事業を大幅再編、DRAM事業の分離・独立を図る▼東芝は2001年8月27日、構造改革計画「01アクションプラン」と2001年度の事業計画の見直しを発表した。同プランの詳細は後述するが、その中にはDRAM事業の他社の統合、フラッシュメモリ事業における事業統合を含めたアライアンスの強化という半導体事業の大規模な改革を含んでいる。今後の世界の半導体産業にも大きな影響を与えるものとなる。 事業計画については、全社売上高を前回の見直しから6900億円減の5兆7500億円（前年度比3.4％減）に削減した。営業利益は前回の2000億円から0としている。半導体に関しては売上高は前回見込みから3400億円減の7700億円（前年度比30％）という大幅に下方修正、営業損益でも940億円の赤字予想となった。設備投資は前年度比55.9％減の750億円となり、前回修正から250億円、期初計画からは650億円の下方修正という厳しいものとなった。これは1987年の700億円以来の少額投資である。投資対象としてはラインや生産能力を維持するために最低限必要な投資を除けば、大分工場新棟、米国フラッシュビジョンなど継続中の案件に絞り込むものと見込まれる。メモリは年内に64M品の生産を停止、ラムバスに関しては128/144M、256/288Mともに生産を抑制していく。 液晶に関しては、売上高は1700億円に下方修正した。前回予測から500億円減だが、前年度から200億円増である。設備投資は350億円で前回見込みから50億円減となった。
（2001年8月28日） ■AMD、2001年度第2四半期は大幅な減収減益▼米アドバンスド・マイクロデバイセズ（Advanced Micro Devices：AMD）社は2001年7月12日、2001年度第2四半期業績（7月1日終了）を発表した。売上高は9億8520万ドルで、前年度同期比15.8％減、前四半期比では17.1％減となった。ただし、2000年度の数字には、2000年8月に売却した音声通信製品事業の売上高を含んでおり、それを除いた存続ビジネス間で比較すれば、11％ダウンとなる。収益に関しては、1730万ドルと黒字は確保したが、前年度同期比では91.6％減、前四半期比でも86.1％減と激減している。 製品としてはPC用MPUの販売量は770万個を上回り過去最高となった。Athron、Duron両製品の合計販売量は前四半期比で16％増加している。しかし、価格低下が激しく、金額ベースでの拡大には貢献できなかった。メモリ分野は前年同期比は13％減、前四半期は27％減となっているが、これは需要の悪化と価格低下が大きく影響している。ただし、メモリの主力であるフラッシュメモリに関しては、売り上げは落としているが、有力OEMユーザーとの関係により、シェアは拡大しているという。 第3四半期の見通しは、まずフラッシュメモリは通信・ネットワーク分野での需要が依然として弱いことから、第2四半期に引き続いてのダウンとなる。PC分野に関しては、2001年のPC出荷自体が台数ベースで2000年から横這いに止まると見ている。しかし、季節的要因から第3四半期は量的には第2四半期を上回るものの価格低下が激しいことから成長は難しい。通信・ネットワーク製品、ファンドリ事業自体も低下が続くと見ている。このような個々の製品分野の動向により、第3四半期業績は前四半期比で10～15％低下、営業収益も赤字となることを予想している。
（2001年8月8日) ■NEC、半導体事業で大幅構造改革▼NECは2001年7月31日、電子デバイス事業の構造改革を柱とする2001年度中期経営計画を発表した。電子デバイス事業の改革に加えて、NECソリューションズ、NECネットワークスなどの事業を中心とする安定経営基盤の確保とグローバルな成長の加速を図り、3年程度の中期を目途に売上高で年率6％成長、営業利益率6.4％、ROE15％、D／Eレシオ1.0倍を目指す。 中核となる電子デバイス事業においては、DRAM事業から撤退とシステムLSIへのシフト、半導体生産ラインの統廃合を積極的に進めていく。DRAM事業においては、2004年を目途に日立製作所との合弁企業であるエルピーダメモリとの関係を除き徹底する。ただし、当面はエルピーダメモリからの委託を受ける形でNEC広島での生産は続けていくなお、NEC広島についてはエルピーダメモリでの生産が本格化する2004年までに、システムLSIへの転換、エルピーダメモリへの売却も含めてその方向を決定する。 半導体生産設備に関しては、米国ローズビル工場でのDRAM生産停止に続き、スコットランド工場（NECセミコンダクターズ）の200mmラインの生産能力を現行の月産2万8000枚から、2001年度下期中に1万5000枚に削減する。同時に同社の人員を1600人から1000人未満へと削減する。 国内工場では150mmラインの整理が中心となる。まず、相模原事業所の150mm試作ラインを閉鎖、試作機能は200mm対応のUC棟に集約する。また、その他の150mmラインに関しても、NEC九州など200mmと150mmの両ラインを持つ工場に集約を図りながら整理を進める。一方、後工程工場ではNEC福岡、NEC大分、NEC熊本を統合・再編し、2001年10月に「NECセミコンダクターズ九州」を設立する。NEC山形でも組立工程工場である山形工場と高畠工場を2001年度下期中に統合、生産能力を集約する。 さらに光半導体、高周波向け半導体など化合物半導体事業を、2001年10月に「NEC化合物デバイス株式会社」として事業の強化を図る。 今年度の設備投資に関しても見直しを行い、NECエレクトロンデバイスとしては期初計画の1700億円から1200億円へと500億円を減額する。減額の中心は半導体向け投資で、期初計画の1440億円から980億円へと460億円の削減を行う。主な減額対象は上海華虹NEC電子向け投資200億円の凍結である。 このような構造改革により、今年度中に国内外で2200人の請負外注を含む4000人規模の人員削減を行う。結果的に2002年度までにNECエレクトロンデバイスの総固定費を2000年度比で７％削減Ｍ、電子デバイスの損益分岐点を約1000億円引き下げる計画である。
（2001年8月8日) ■TI、2001年度第2四半期業績も減収減益▼米テキサス・インスツルメンツ（Texas Instruments：TI）社は2001年7月23日、2001年度第2四半期業績（6月30日終了）を発表した。ユーザーの在庫調整により半導体市況は厳しい状況が続いており、売上高は20億3700万ドルで前年度同期比30.5％減、前四半期比は19.4％減と4月時点の予測とほぼ一致する結果となった。新規受注は17億400万ドル、前四半期比で約10％減だが、低下のペースは鈍化している。 第3四半期についても在庫調整の影響から需要は弱く、第2四半期比で10～15％減を予測している。しかし、同社のトム・エジンバス社長は「半導体売上高の低下も底に近づいている。すでに無線分野では、ユーザーの過剰在庫の整理が進み、新しい計画が動き出したことから需要が増加してきている。下降局面は終わり、回復と再成長に向けて力を注ぐべき時期に来ている」と、強気の姿勢を見せている。 設備投資額は前回見通しから変わりなく、前年度比35％減の18億ドル。研究開発費は前年度並みの1600億ドルで、前回計画からの変更はない。 同社の半導体事業は、16億5700万ドルで前年度同期比34.0％減、前四半期比でも23.9％減となった。同期損益は前年同期の6億3400万ドル、前四半期3億400万ドルからから一転、3700万ドルの損失となった。新規受注は13億2100万ドルで前年度同期比55％減、前四半期比12％減となっている。製品別ではアナログが前年度同期比28％減、前四半期比24％減、DSPが前年度同期比41％減、前四半期比17％減と65％を占める製品業績の不振が業績を悪化させる原因となっている。これに対して、DSLなどブロードバンド通信関連製品は前年度同期比4倍、前四半期から横這いとなっている。
（2001年7月31日) ■NECの2001年度第1四半期業績、全社は増収もエレクトロンデバイスは減収減益▼NECは2001年7月27日、2001年度第1四半期業績と同年度上期業績予想の修正を発表した。NEC全社の今年度第１四半期業績は、売上高が1兆1246億円と前年度同期比６％増、営業利益は30億円で70％減、純利益も8億円で72％減となった。製品分野別ではNECエレクトロンデバイスが大幅減収、営業損失を生み、全社業績を引き下げる原因となっている。 NECエレクトロンデバイスの同期業績は売上高が2213億円で同28％減、営業損益は前年度の252億円の利益から174億円の損失に転じる結果となった。売上高の内訳は半導体が同28.7％減の1717億円、ディスプレイが同38.8％減の219億円、電子部品その他が同3.8％減の277億円となっている。 DRAMの需要伸び悩みと価格の急落、ノートPC向けディスプレイ市場の悪化などが停滞の大きな要因となっている。この業績悪化を受けて同社では半導体を中心に電子デバイス分野での設備投資見直しを進めている。同社の半導体設備投資は期初計画段階で前年度比34％減、700億円以上の削減としていたが、修正後は40％以上の削減となる可能性もある。
（2001年7月31日) ■富士通、2001年度業績見通しを下方修正、半導体投資も500億円削減▼富士通は2001年7月27日、2001年度第1四半期業績を発表、同時に2001年度通年見通しの変更を発表した。2001年度第1四半期の全社業績は売上高が1兆897億円で前年同期比ほぼ横這い。しかし、営業利益は423億円、純利益は554億円の赤字で、赤字幅は前年度同期から営業利益が3倍以上、純利益では4倍以上に拡大している。この結果を受けて2001年度通年計画を期初計画から売上高を4000億円、営業利益を1900億円下方修正し、それぞれ5兆4000億円（前年度比1.5％減）、800億円（同67.2％減）とする。さらに電子デバイス事業などを中心に人員削減も進めていく計画を発表している。 半導体を中心とする電子デバイス事業は売上の伸び悩み、収益悪化の最大の要因になった。第1四半期業績は売上高が1887億円、前年度同期比6.0％減、営業利益は前年度161億円から19億円の赤字に転じた。これは在庫調整による電子部品の売上減少、フラッシュメモリ、ロジックICの売上伸び悩み、価格の急落が影響している。このような状況から2001年度通期見通しは売上高が期初計画から2200億円減の7400億円、前年度比では18.6％減とした。また営業利益は期初計画の950億円から450億円の赤字予想となっている。 半導体生産額は4750億円と2150億円下方修正、前年度比では24.5％減という大幅なダウンを見込んでいる。製品別で最も大きな影響を与えているのがフラッシュメモリ。期初計画での生産高は約2500億円だったが、今期は1000億円近く（960億円）下方修正され、約1500億円、前年度比17％減との見通しとなった。これにともないフラッシュメモリの生産能力拡大も計画の6000万個／月（8M換算）から4600万個／月に抑制された。フラッシュだけでなくロジック、化合物半導体などでも大幅な下方修正が行われた。 市況停滞に対応するため、設備投資についても計画の見直しが行われた。期初計画では1900億円と半導体メーカーの中でも強気の数字を打ち出していたが、今回500億円を削減、1400億円を削減する。フラッシュメモリを中心に投資計画を見直し、米グレシャム工場については売却も念頭において検討を続けていく。
（2001年7月31日) ■インテル、2001年度第２四半期収益は前年度同期比94％減▼米インテル（Intel）社は2001年7月17日、2001年度第2四半期の業績を発表した。同期売上高は63億3400万ドル、純利益は1億9600万ドルとなった。売上高は前年度同期比で23.7％減、前四半期比でも5.1％減となり、ダウンは続いているもののそのペースは緩やかになっている。純利益は前年度同期比では93.8％減と10分の1以下となり、前四半期比でも60％減となっている。ただし、買収費用を除けば8億5400万ドルの純利益となり、ダウン幅も前年度同期比76％減、前四半期比で22％減とやや改善することになる。 同社のクレイグ・R・バレット社長は「今回の業績に関してはほぼ予想に適合しており、MPU事業をみれば量的拡大により予想を上回る結果となっている」としており、今後もR&D投資、設備投資を積極的に展開するという方向を示した。一方、フラッシュメモリ、ネットワーク関連デバイス、製品などはいずれも前四半期からダウンしている。 2001年第3四半期に関しては、売上高62億～68億ドルと、第2四半期比では横這いから微増を見込んでいる。マージン率に関しては、47％±2ポイントで、第2四半期の48％とほぼ同水準を見込んでいる。
（2001年7月31日) ■横河電機、保全業務効率向上を通してトータル保全コストの削減を実現する設備保全管理システム「eHOZEN」を開発・発売▼横河電機は2001年7月12日、工場などの設備保全業務向けに、保全履歴を蓄積・分析することで保全コストの削減や保全業務の効率向上を支援するソフトウエアパッケージ、設備保全管理システム「eHOZEN」を開発、2001年7月15日から販売を開始すると発表した。主な対応市場としては、化学、石油化学、鉄鋼、紙パルプ、食品、家電、自動車、半導体など、工場設備を持つあらゆる産業としている。 新製品は、保全・故障履歴を蓄積し、そのデータの解析を行い、改良保全や業務効率向上に結びつけるシステム。これにより、保全作業のPDCAサイクル（P:Plan、D:Do、C:Check、A:Action）を完成させ、効率的な保全作業が可能となる。また、同社の巡視点検支援システム「IPPAT」などとの連携で、人のノウハウに頼らない作業環境を提供し、トータルコストの削減を実現する。 製品の特長としては、(1) 保全活動効果の定量的な評価・把握。具体的には5機能の保全費統計分析機能。履歴の統計分析機能より、保全活動の定量的評価を可能にするなど、保全履歴から保全計画を策定することができる。また、故障履歴部位別故障件数推移など9機能を使って、重トラブルに至る前の効率的な予防保全など効率的な保全活動をにしている。(2)基本システム部分を共通化する一方、顧客ごとに異なる管理体系、パラメータを自由に設定できるようにするなど、カスタマイズ領域を十分に確保した。(3)同社の巡視支援システム「IPPAT」や、「Exaquantumプラント情報システム」との連携により、点検作業の効率化、保全計画の操業スケジュールへの反映等、トータルコスト削減につながる効率化が可能。(4)端末同士をインターネットを介して接続することで、データをサーバで一元管理することができ、各端末でのデータ管理は不要。設備保全管理システムとしては、Web環境で動作するシステムは国内初の製品。 販売目標は、いづれも国内販売のみで、2001年度は26セット、2002年度は40セットを計画している。
（2001年7月18日) ■東芝、半導体設備投資を削減、1000億円に▼東芝は2001年度の半導体設備投資額を期初計画の1400億円から400億円削減、1000億円とする移行を固めた。投資を先端ライン向けに集中、既存ラインへの投資を絞り込む。
（2001年7月5日) ■アジール・システムズ、生産能力を大幅削減▼米アギール・システムズ（Agere Systems）社は2001年6月29日、人員削減と生産設備整理を含めた合理化案を発表した。同案では4月に発表した2000人の削減に、さらに4000人の削減を行うことになる。これらの人員整理のための費用として9億ドルを予定しており、そのうちの7億2500万ドルが2001年第２四半期に計上されることになる。生産設備の合理化に関しては、2001年末までに操業を停止する予定のスペイン・マドリード工場の売却を計画、売り先を探している。現在稼働中の工場に関しても、フロリダ州オーランド工場、ペンシルバニア州のアレンタウン、ブレイニグスヴィル、リーディングにある現在稼働中の工場に関しても合理化案を進めている。このほかにもいくつかの工場について統合を計画している。 また、同社では2001年第2四半期の業績予想について、売上高見込みが期初計画からわずかに低下、9億2000万ドルとなると発表した（期初計画は9億5000万ドル）
（2001年7月5日) ■NEC、情報セキュリティ評価基準の工場認証を取得▼NECは、情報セキュリティ評価の世界標準であるISO／IEC15408の認証を、ICカード・マイコンの生産工場であるNEC山口において取得した。 同工場製マイコンが使用されるマルチ・アプリケーション・カードはモバイル通信、ネットワーク、金融という3つの要素の融合分野におけるキー・デバイスとしての役割を期待され、同工場はカードの設計、製造工程、搬送工程におけるセキュリティ・レベルの保証が要求されている。このような市場の要求を背景に、NEC山口において1999年11月よりISO／IEC15408の前身であるCommon Criteriaに準拠した製造サイトのセキュリティ認証取得活動をフランスの評価・認証機関と連携して展開し、2001年6月28日に認証を取得した。同社はICカードマイコンの設計サイトへの展開も進めており、年内には認証を取得する予定になっている。
（2001年7月5日) ■東芝、大分工場アネックス棟第2期クリーンルーム完成▼東芝は2001年6月20日、大分工場内で最先端システムLSIの配線工程の処理を行うアネックス棟の第2期分クリーンルーム内装の完成したを発表した。第2期分のここまでの投資額は一部の設備も含めて200億円で、2000年度投資に計上されていた。現在までの総投資額はソニー・コンピュータ・エンタテイメントの投資分も含めて850億円となる。新クリーンルームに設備導入を進め、2001年下期以降、生産強化を図っていく。 今回のクリーンルームと一部設備の導入により、既存システムLSI製造棟（150棟）との連携による同工場での0.18μm以降の最先端プロセスによるシステムLSIの生産能力を第1期分の能力から5000枚増の2万7500枚に強化する。今後は市況を見つつ設備導入を進め、2003年に予定されているフル稼働時には生産能力を月産3万5000枚にまで強化する（いずれも200mmウェーハ換算）。 アネックス棟は2000年6月に着工、2001年４月には第1期分の本格稼働を開始している。同棟クリーンルームはスペース効率の高いボールルーム構造とSMIFによるミニエンバイロメント構造を採用している。また、同社として初めての銅配線対応設備を導入、2001年度末から生産を開始する。
（2001年6月21日) ■LSIロジック、コロラド・スプリングス工場をX－FABに売却▼米LSIロジック（LSI Logic）社は2001年6月18日、閉鎖したコロラド・スプリングスのエアロプラザ・ドライブにある工場を独X－FABセミコンダクタ・ファンドリ AGにに売却することで合意に達したと発表した。売却金額は約1億2000万ドル。同工場は200mmウェーハ対応で、閉鎖までの生産能力は、0.35、0.5、0.6μmプロセス対応で週産3000枚であり、加えて0.25μmプロセスのデモも行っていた。生産品目はミクスト・シグナル・デバイス。同工場の従業員は買収後も同工場で勤務することになる。 X－FABはアナログIC、ミクスト・シグナルICのメーカー。今回買収した工場をげ加えて、3つの生産工場を持ち、合計生産能力は150mmウェーハ換算で週産1万2000枚以上となる。
（2001年6月20日) ■アムコーの中国工場、顧客の資格認証に向けた体制を確立▼米アムコー・テクノロジー社（Amkor Technology）社は2001年6月18日、リース契約調印後5ヶ月で外高橋（Waigaogiao）自由貿易区に設立された同社の半導体組立・検査工場が、顧客の資格認証と検査業務の本格的な稼働体制に入ったと発表した。 2001年のリース契約調印後同社はライセンス取得や環境面での影響調査、インフラ整備などを進めてきており、今回半導体組立・検査用装置を完備したクリーン・ルーム1期分の建設を完了した。同工場ではすでにエンジニアや技師・オペレータが現地から採用され、トレーニングを開始している。また、原材料と部品を工場に迅速に供給できるサプライ・チェーン・マネージメント（SCM）システムも確立している。 同社は、検査と半導体組立工程の両方に対する社内の資格認証を完了し、顧客の資格認証を開始して、パッケージ製品の量産に向けた体制を整えている。検査プログラムは6月中に開始し、第3四半期には量産が計画されている。 同社のChipArray Ball Grid Array （CABGA）とLow Profile Quad Flat Pack（LQFP）のパッケージ生産は第3四半期に開始される予定で、2001年第4四半期に量産体制に入る。量産体制に向けて、同工場では年中無休の24時間操業体制がしかれる。最初の製品は中国国内の携帯電話市場向けである。 また同社は、200万平方フィートまで生産・検査工場を建設できる土地を外高橋自由貿易区に確保できるよう、現地の自治体と予備協定を終結している。さらに既存工場は受注状況に応じて90日以内に7万平方フィートまで拡張可能である。
（2001年6月20日) ■フラッシュビジョンが512Mフラッシュメモリの生産を開始▼東芝と米サンディスク（SanDisk）社は2001年6月7日、フラッシュメモリ製造合弁会社であるフラッシュビジョンLLC（FlashVision LLC）社が生産を開始したことを発表した。製造を始めたのは512MビットのNAND型フラッシュメモリ。量産立ち上げは2002年を予定しているで、製造品目は両社が50％ずつ引き取る。製造は東芝の米国半導体製造拠点であるドミニオン・セミコンダクター内にあるフラッシュビジョンのFab（ドミニオンの第２期ライン）が製造を担当している。同Fabには両社が7億ドルをかけて装置を導入している。
（2001年6月11日) ■ASML、インフィニオン・テクノロジーズから300mm対応ステッパを受注▼オランダのASMリソグラフィは2001年6月5日、独インフィニオン・テクノロジーズ（Infineon Technologies）社から5000万ドル相当の300mm対応スキャナ「TWINSCAN」を受注していることを明らかにした。6月中にもインフィニオンのドレスデン工場「SC300」への出荷を開始する。
（2001年6月8日) ■インテル、300mmウェーハ対応研究・実証施設を開設▼米インテル（インテル）社は2001年５月14日、オレゴン州ヒルズボロに300mmウェーハ対応の研究施設「RP1」を開設した。同施設は300mm対応の試作量産ラインであるD1C、量産ラインであるFab20に隣接しており、300mm対応の技術研究を1箇所に集中することで開発の効率を向上させ、開発から製品化までの時間の短縮化を図る。同施設はコンポーネント研究ラボの拠点として現行プロセスの2～3世代先、0.1μm以下の最先端プロセスの開発を行う。 設備投資額は2億5000万ドル。クリーンルーム面積は5万6000ft2（約5200㎡）で300mmウェーハの連続処理実験なども可能になっている。
（2001年5月18日) ■SSMCが稼働開始▼シンガポールのシステムLSI／ファンドリメーカーであるシステム・オン・シリコン・マニュファクチャリング（System on Silicon Manufacturing Company：SSMC）社の工場が2001年5月11日から本格稼働を開始した。同社は台湾・TSMC、オランダのフィリップス・セミコンダクタ（Philips Semiconductor）社、およびシンガポール開発庁の合弁企業でシステムLSI製造、ファンドリサービスを行う。 着工は1999年末で、17ヶ月間という短期間での本格稼働開始となった。特に装置導入開始から安定稼働までの時間は90日間という短いものであった。サイクルタイム、歩留りとも、TSMC、フィリップスの最新鋭工場と同レベルに達しているという。 製造プロセスは0.25μm～0.18μmでスタート、2002年中には0.15μm～0.12μmにまでシュリンクを進める。生産能力は2002年末までに予定されているフル稼働時に200mmウェーハで月産3万枚となる。従業員数は現在700名、フル稼働時には1000名に拡大する。延床面積は9万㎡、総ウェーハ処理スペース（クリーンルーム）面積は1万㎡。2001年半ばまでにISO－9001、ISO－14001を取得、2002年の早い時期にQS－9000の取得を計画している。投資額の12億ドルはスタート時の投資額であり、シュリンクなど強化に伴い、長期的に上積みを続けていく意向である。
（2001年5月15日) ■ザイリンクス、UMCとトレセンティ・テクノロジーズと共同で300mmウェーハ製品▼米ザイリンクス（Xilinx）社と、UMCと日立製作所の合弁企業であるトレセンティ・テクノロジーズ（Trecenti Technologies）は2001年5月2日、ザイリンクスがVirtexを300mmウェーハで製したと発表した。 ザイリンクスでは次世代高集積プラットフォームFPGAにも300mmウェーハを使用する。高速I／O技術、DSPマルチプライア、エンベデッド・プロセッサを搭載する300mm版プラットフォームFPGAはチップあたり2億個以上、ウェーハにつき370億個以上のトランジスタを統合する。 ザイリンクスではこれから12ヶ月間で、トレセンティで作られた製品は同社売上の3分の1を占めるVirtexやStartanシリーズFPGAセカンドソースとなると見ている。
（2001年5月7日) ■インフィニオン・テクノロジーズ、300mm量産工場への装置導入を開始▼独インフィニオン・テクンロジーズ（Infineon Technologies）社は2001年4月23日、ドレスデンに建設中の300mm対応クリーンルームへの装置導入を開始したことを発表した。2001年下期にも0.14μmプロセスによる256MDRAMから製造を開始、2002年末にはフル稼働とする計画である。フル稼働時の生産能力としては週産6000枚を予定している。 同クリーンルームは2000年5月に着工されており、装置を含む総投資額は約11億ユーロに達する。フル稼働時の従業員数は1100名を予定。
（2001年4月26) ■LSIロジック、コロラド・スプリングスの製造工場を閉鎖▼米LSIロジック（LSI Logic）社は2001年4月11日、同社のコロラド・スプリングス工場（1635アエロプラザ・ドライブ工場）を2001年8月に閉鎖すると発表した。同工場は1983年に製造を開始し、成熟したプロセス技術での製造を担当している。製造能力はオレゴン州グレシャムと筑波の二つの大きな拠点での製造能力を強化している。約500名がこの決定により影響を受ける。多くは転勤を提案されており、残りは見合った退職手当を受け取る。 この決定は国内経済の弱化やサプライ・チェーン内の最終製品需要の下降や在庫品の増大により当社の見込みより早まった。 同社は工場の閉鎖に伴い、1億2000万ドルから1億5000万ドルの費用がかかると見ており、第2四半期から第3四半期に計上する見込みである。（木村悦子）
（2001年4月17) ■STM、モロッコに新組立・テスト工場▼仏、伊の合弁企業であるSTマイクロエレクトロニクスは、2001年4月3日、モロッコBouskouraに新たに組立・テスト工場（後工程工場）を設立したと発表した。新工場は最先端の自動化技術を用いて、日産2500万個の処理能力を達成できるように設計されており、フルキャパシティ時点で2500名の従業員を雇うことができる。現在の生産能力は日産230万個、従業員数は733名である。 新工場は「Bouskoura2000」プロジェクトの一環として設立された。STにより発表された投資額は3億ドルで、建物と施設に1億700万ドルが投じられた。面積3万2000㎡のクリーン・ルームと4000㎡の倉庫施設がある。 設備が全て整うと、同工場は世界でも最先端の後工程工場となる。それによりサイクルタイムを従来の4、5日から1時間程度にまで短縮することが可能になるという。そこでは産業分野でキー・コンポーネンツとなる自動車、通信、ホーム・アプライアンス、コンピュータやパワー・コンバージョン向けLSIの組み立て・テストを行う。（木村悦子）
（2001年4月13) ■日立製作所、アキタ電子を完全子会社化▼日立製作所は2001年3月30日、子会社である日立国際電気からアキタ電子株式 49％を取得、すでに保有する株式51％を合わせてアキタ電子を100％子会社化した。 アキタ電子は日立製作所の半導体後工程を担当しており、今回完全子会社化 することにより、前工程とより緊密な関係を構築できるようにしている。 また、日立国際電気ではアキタ電子株の売却により、事業を通信情報システム、 放送・映像システム、半導体製造システムの3部門に集約を図る。 アキタ電子の売上高見通しは2001年3月期で約600億円、従業員数は約1000億円 である。
（2001年4月13) ■NEC、ローズビル工場を縮小▼NECは2000年４月9日、2001年6月までに米国ローズビル工場でのDRAM生産を停止、マイコンを中心としたシステムLSIに特化する。このため、生産能力を月産3万9000枚（150mmウェーハ換算）から同2万5000枚に縮小、同時に組立ラインも閉鎖する。従業員も約700名を削減する。同工場では数年前からシステムLSIへのシフト進めており、今回もその流れに沿ったものとなっている。なお、同工場については300mm工場の建設が計画されているが、具体的な動きはこれからである。 （柴田浩一）
（2001年4月10) ■東芝、2003年度半導体事業売上高1兆6500億円を目指す▼東芝は2001年3月下旬、2003年度までの中期事業計画を発表した。同計画では2002年度売上高が7兆4000億円、2003年度売上高は7兆9000億円としており、前回発表した中期計画値を1年後倒しする形となった。これはパソコンの伸長鈍化が大きな原因。 半導体事業については、現時点の事業環境は厳しいものの依然として高い成長性を維持しており、売上高も2003年度には1兆6500億円への拡大を計画している（2001年度は1兆1200億円）。設備投資についても、2001年度については1400億～1400億円をベースに市況を見て、実際の発動を行っていく予定である。また、2002、2003年度も電子デバイス分野として年間1400億円をベースとして投資計画を進めていくことになる。 液晶ディスプレイでは低温poly－Si分野に集中し、2003年度の売上高を2000年度実績（1500億円）比倍増を上回る3200億円規模への拡大を進める。また、有機ELに関しても2002年度を目途に生産を開始する。
（2001年4月4) ■東芝、大分工場配線工程工場棟を本格稼働▼東芝は2001年4月3日、大分工場の多層配線工程製造棟（アネックス棟）の本格稼働開始を発表した。同棟は第1期分として東芝から300億円、ソニー・コンピュータ・エンターテイメントから350億円の計650億円をかけて2000年6月に着工した（建物完成は2001年1月）。今回の本格稼働により、大分工場における0.18μm以降の最先端プロセスによる生産能力は月産2万2000枚となる。すでに第2期投資を投資として2000年度中に200億円の投資を実施しており、2001年度下期にかけて生産能力を整備していく。 新棟は延床面積１万5000㎡、建屋面積3万4500㎡、クリーンルーム面積1万㎡となる。
（2001年4月4) ■AMD、シンガポールのテストおよびデザイン施設の拡張に着工▼米アドバンスド・マイクロ・デバイセズ（Advanced Micro Devices：AMD）社は2001年2月27日、シンガポールで新しい半導体テスト工場およびデザインセンターの建設に着工したと発表した。投資金額は4500万ドル。同社は、現在シンガポールでAthlon、Duronの組立、テストを行っており、今回の施設拡張でMPU製品の開発強化、生産能力の増強を図る。稼働開始は2002年第2四半期の予定。新しいテスト工場およびデザインセンターの建屋は7階建てで、敷地面積34万5000f2内に26万f2の生産設備を有する。（畠中信考）
（2001年2月28) ■昭和電工、半導体向け特殊ガスでシンガポールに進出▼昭和電工は2001年2月22日、半導体製造用特殊ガスおよび廃ガス除害設備・同再生事業を行う新会社を設立した。 新会社の名称は「Showa Specialty Gas Singapore」で、資本金は100万Sドル。シンガポールでの製品の安定供給およびマレーシアなどの周辺地区への展開を推進する。エッチングガス、クリーニングガス、成膜ガスなどの半導体向け特殊ガスと廃ガス除害設備を中心に扱う。2005年に10億円の売上高を計画している。 また、台湾にある合弁会社「昭和特殊気体」においては、安定供給体制強化のため2001年4月に台南地区に第2工場を開設する。昭和特殊気体では、2001年の売上高を前年比2倍増の40億円と見込んでいる。 昭和電工では1996年に米エアープロダクツ・アンド・ケミカルズ社と提携し、フッ素系特殊ガスの生産設備を川崎事業所内に設置、1999年4月には旭硝子よりフッ素系半導体向け特殊ガス事業を譲り受け、同分野の事業強化を図っている。2002年には特殊ガスおよび廃ガス除害装置事業で200億円の売上高を見込んでいる。（畠中信孝）
（2001年2月23) ■古河電工、WDM用光部品の生産体制強化に102億円を投資▼古河電工は2001年2月21日、一本の光ファイバケーブルで複数の光信号を伝送する波長分割多重（Wavelength Division Multiplexing：WDM）伝送システム用光部品の生産体制を強化するため、タイに量産工場を100％子会社として新設すると発表した。また、千葉事業所内に研究開発および生産拠点としての新工場も建設する。 タイの新会社の社名は「フルカワ・ファイテル・タイランド」で、工場の敷地面積は3万㎡、総床面積は1万㎡。メトロ用光源レーザ、1480nm励起レーザ、ラマンアンプ用レインボー励起レーザの波長安定に使用するファイバ・ブラッグ・グレーティング（FBG）を生産する。2001年夏に生産を開始し、2001年末には500名体制にする。建屋、土地を含んだ投資額は30億円を予定している。 千葉事業所の敷地内には、総床面積1万9000㎡の「ファインテル・エンジニアリング・センター」建設し、励起レーザ・チップ工程設備および研究開発用パイロットラインを設置する。さらに光受動部品の開発・生産用に既存建屋内をクリーンルーム化し、5500㎡の新しい工場スペースとする。両工場とも2001年秋に稼働を開始する。国内新工場に関する投資額は72億円。 千葉事業所内にチップからモジュール工程までの一貫生産体制を確立し効率化を進めるとともに、光アンプなどの新製品開発の体制を強化する。また、新しい光受動部品工場で量産技術が確立した部品をタイ工場に移管するなど価格競争力の強化を図る。 (畠中信孝）
（2001年2月22) ■サイプレス、ハイバンド・セミコンダクターを買収▼米サイプレス（Cypress）社は2001年2月5日、SONET、Ethernet、InfiniBandなど広帯域通信用ミクスド・シグナルLSI技術のプロバイダである米ハイバンド・セミコンダクター（HiBand Semiconductor）社を買収することで合意したと発表した。 ハイバンド・セミコンダクターは1997年に設立されたGbpsクラスのシリアル・インターフェース用LSIの設計・開発会社で、現在10Gbps伝送に対応するフィジカル・レイヤLSIの開発などを進めている。(畠中信孝）
（2001年2月6) ■横河電機、安藤電気の株式33％を取得し筆頭株主に▼横河電機、NEC、安藤電気の3社は2001年1月31日、NECが保有する安藤電気の株式35％のうち33％を横河電機が買収することで合意したと発表した。買収金額は132億円で株式の移動は2001年2月28日を予定している。 2000年1月14日に発表した長期経営構想の中で測定分野への注力を掲げた横河電機と、グループ企業の再編を進めるNECの事業戦略が一致し今回の合意となった。 横河電機と安藤電気の両社は、測定器、ハンドラ、テスタを含む電子測定事業領域で業務提携し、通信、マルチメディア、半導体などの成長分野に向けたテスト・ソリューション事業に注力していく。 測定器、テスタを合わせた事業規模は、両社を併せて、現在1300億円程度で、2005年には2000億円規模に拡大していく。(畠中信孝）
（2001年2月1) ■アジレント・テクノロジーズ、光通信コンポーネント・メーカーを買収▼米アジレント・テクノロジーズ（Agilent Technologies）社は2001年1月29日、イタリアのファイバ・オプティクス・コンポーネント・ベンダーのシリコン・マイクロシステムズ（Silicon Microsystem）社の買収を発表した。買収金額は5500万ドルで、買収後はアジレント・テクノロジーズ・セミコンダクタ・プロダクト・グループのネットワーク・ソリューション部門に編入される。光通信用トランシーバなどコンポーネントを強化する。(畠中信孝）
（2001年1月31) ■ルーセント、2001年度1Qの業績を発表▼米ルーセント・テクノロジーズ（Lucent Technologies）社は2001年1月24日、2001年度第1四半期（2000年10－12月）の業績を発表した。全社の売上高は58億4100万ドルで前年同期実績の79億500万ドルに比べ26.1％減、純利益はマイナス10億2200万ドルで前年同期実績の10億7500万ドルから大幅な赤字に転落した。同社ではこの結果を受けて、10000人の人員削減など20億ドル規模のコスト削減による再建計画を発表した。 半導体部門であるアギア・システムズ（Agere Systems）社（旧マイクロエレクトロニクス・グループ）の売上高は、11億4600万ドルで前年同期実績の7億6300万ドルに比べ50.2％増加した。光通信、LAN／WLAN向け製品、ネットワーク用カスタムLSIなどが好調であった。(畠中信孝）
（2001年1月25) ■LSIロジック、2000年度第4四半期の業績を発表▼米LSIロジック（LSI Logic）社は2001年1月23日、2000年度第4四半期の業績を発表した。売上高は7億5100万ドルで前年同期実績の5億8500万ドルに比べ28.3％増、純利益は1億1600万ドルで前年同期実績の7600万ドルに比べ52.6％増の増収増益となった。2000年度通期でも、売上高が27億4000万ドルで前年比31％増、純利益が4億1700万ドルで同140％増の増収増益となった。 2001年度第1四半期の売上高は、今回発表された2000年度第4四半期に比べ12％程度減少すると見込んでいる。2001年度の設備投資金額は前回発表と同額の6億ドルを予定している。(畠中信孝）
（2001年1月25) ■TI、2001年度第1四半期も前期比10％減と予測▼米テキサス・インスツルメンツ（Texas Instruments：TI）社は2001年1月22日、2000年度第4四半期業績と2000年度通期業績および2001年度第1四半期業績予測を発表した。このうち2001年度第1四半期については、携帯電話などの需要停滞に季節的要因が加わる結果、2000年度第４四半期比で10％程度の減少を予測している。 2000年度第4四半期業績は全社売上高30億3300万ドルで前年度同期比15％増となった。純利益は前年同期から約1億ドル増加、同23％増の5億4900万ドルとなった。半導体事業部門売上高は26億9500万ドルで同18％増となった。しかし、前期（第3四半期）比では横這いに止まっている。これはエンドユースの需要停滞とユーザー在庫の増加が原因としている。 2000年度通年では全社売上高が前年度比22％増、純利益は同38％増の21億7400万ドルとなった。半導体売上高は102億8400万ドルで同25％増となった。 半導体製品分野別の動きでは、アナログ関連分野は2000年度第4四半期売上高が前年度同期Ｈ28％増、2000年度通年でも前年度比28％増と好調を維持しているが、DSP関連分野は2000年度通年では前年度比29％増という高成長を記録したが、第4四半期は前年度同期比4％減となった。 2001年度の設備投資額は2000年度から5億ドルを減額、23億ドルを計画している。300mm工場であるDMOS6への投資が中心となる。また、研究開発費は1億ドル増しの17億ドルを予定している。 （柴田浩一）
（2001年1月23) ■トランスメタ、2000年度4Qの業績を発表▼携帯情報端末、ネット家電向けMPU「Crusoe」の開発販売会社である米トランスメタ（Transmeta Corporation）社は2001年1月18日、2000年度第4四半期（10－12月）の業績を発表した。 売上高は1236万ドルで前期実績350万ドルに比べ253.1％増（前年同期売上高は0）、利益では、不動産譲渡の繰り延べ資金を含んだ純利益がマイナス2620万ドルで前年同期実績のマイナス1310万ドルに比べ損益が増大した。 同社は2000年1月にCrusoeを発表し、2000年5月以降、米ゲートウェイ（Gateway）社、ソニー、富士通、NEC、日立、オランダのフィリップス（Philips）社などのノートPCやインターネット機器に採用されている。このような状況から、同社は2001年度第1四半期の業績を、売上高が前期比50％増、総利益が前期比42～44％増と見込んでいる。(畠中信孝）
（2001年1月22) ■AMD、2001年も15％増を目指す▼米アドバンスド・マイクロデバイセズ（Advanced Micro Devices：AMD）社は2000年1月17日、2000年度第４四半期および2000年度通年実績と2001年度の事業見通しを明らかにした。 2000年度第4四半期業績は、売上高が前年度同期比21.3％増の11億7517万ドル、純利益は同173.5％増の1億7797万ドルとなった。この成長はPC向けMPUとフラッシュメモリが牽引している。2000年度通期では売上高が前年度比62.5％増の46億4418万ドル、純利益も9億8302万ドルへと黒字転換を果たした。 2001年については、第1四半期はMPUが600万～650万個の販売に止まるが、フラッシュメモリは堅実な成長を遂げ、通期では2000年第4四半期比で横這いとなるものと予想している。2001年度通年については15％程度の成長を予想している。また、セツＢに投資については、2000年度比約25％増の10億ドルにまで拡大する計画である。 （柴田浩一）
（2001年1月18) ■インテル、2001年度の設備投資額は75億ドルに▼米インテル（Intel）社は2001年1月16日、2000年度第4四半期および2000年度通年実績と2001年第1四半期見通し、設備投資計画などを発表した。 2000年度第4四半期業績は売上高は87億200万ドルで前年度同期比6.0％増となった。純利益は21億9300万ドル、前年度同期実績比で約4％増となっている。ただし、この数字には買収費用が含まれており、それを除いた実質的純利益は26億2700万ドルで同29.0％増ととなった。2000年度通期では337億2600万ドルで前年度比14.8％増、純利益105億3500万ドル、同44.0％増となった。買収費用を除いた実質利益は121億ドルで前年度の81億ドルから49％という大幅な成長となった。2001年度の第1四半期見通しについては、季節的な要因もあり2000年第4四半期比で15％前後のダウンとなるものと見ている。同時に粗利益率に関しても前期の63％から58%程度にまで低下する。 2001年度の設備投資額は75億ドル、2000年度比11.9％増を計画していると発表した。投資は0.13μmプロセスの強化とD1C、Fab11E、Fab22、Fab24という300mm工場の整備に振り向けられる。現在同社ではプロセスシュリンクと300mm化により、2002年にはMPUの製造コストを2000年比で30％低減することを目指していく。 （柴田浩一）
（2001年1月18) ■NEC、上海の半導体生産拠点の生産能力を増強▼NECは2000年1月11日、中国・上海の半導体生産拠点である「上海華虹NEC電子有限公司」の半導体生産能力を増強すると発表した。そのため2001年度に350億円の設備投資を行う予定である。 上海華虹NECの生産能力は現在、200mmウェーハ換算で月産2万枚であるが、2001年12月までに月産3万枚にまで拡大する。中国国内での携帯電話向けをはじめとする半導体の急速な需要の立ちあがりに対応することが目的である。0.24μmプロセスで製造する。 なお、上海華虹NECは、NECと上海華虹（集団）有限公司との合弁で1999年2月に設立された。工場の敷地面積は約21万㎡。64M／128MDRAMやロジックICなどのファンドリサービスを行っている。2000年12月末時点の従業員数は約880人。（山口由美子）
（2001年1月12)
■モトローラ、2000年度4Qの業績を発表▼米モトローラ（Motolora）社は2001年1月10日、2000年度第4四半期（2000年10－12月）の業績を発表した。 半導体製品に関しては、売上高が19億500万ドルで前年同期実績の17億7600万ドルに対し7.3％増、税引前利益は1億5800万ドルで前年同期実績の8000万ドルに対し97.5％増の増収増益となった。しかし、受注額は16億ドルで前年同期比19％の減少となった。ワイヤレス関連製品および標準品の受注が低調であった。(畠中信孝）
（2001年1月11) ■ブロードコム、サーバワークス社を買収▼米ブロードコム（Broadcom）社は2001年1月8日、インテルベース・サーバのコアロジック・メーカーである米サーバワークス（SeverWorks）社を9億5700万ドル相当で買収すると発表した。 サーバワークスの製品・技術を獲得しInfiniBandやEthernet、ファイバ・チャネルなど10Gbpsクラスの広帯域伝送が必要となるサーバ／ストレージ・ネットワーク分野への参入を強化する。 サーバワークスの製品は、コンパック、Dell、IBM、HP、NEC、富士通などワールドワイドに広く採用されている。(畠中信孝）
（2001年1月10)
■NEC、光半導体／マイクロ波半導体事業を分社化▼NECは2001年1月10日、光半導体およびマイクロ波半導体事業を分離し、2001年10月を目処に新会社を設立すると発表した。高成長が見込まれるブロードバンド通信と携帯端末機器の高周波用半導体分野を分社化することで、リソースの集中、経営のスピード化、人材確保などを促進し同分野の強化を図る。 新会社の資本金は120億円で、売上高は1200億円、従業員は500名からスタートし順次増強していく。本社は玉川事業場内に設立される。当初はNECが株式を100％保有するが、設立後2年以内に株式公開を行う予定である。 取扱製品は、光半導体、マイクロ波シリコン半導体、マイクロ波化合物半導体。光モジュール事業は含まれない。今回の分社化にともない、生産拠点であるNEC関西内にある関西デバイス研究所に、光半導体およびマイクロ波半導体の研究・開発部門を統合し、研究・開発・生産の一貫体制の強化を進める。 また、北米市場における販売、マーケティングを担当しているCEL（California Eastern Laboratories）社に対する増資、国内や台湾における戦略的ファンドリ・パートナーの選定、光半導体分野の技術を有するベンチャー企業への資本参加、M＆Aなどの検討も積極的に行っていく。 NECでは、2000年度の同分野の売上高である1000億円から、2005年度には新会社で3000億円にまで拡大を目指す。(畠中信孝）
（2001年1月10)
■三菱電機、300mm対応工場の建設計画を発表▼三菱電機は2001年1月9日、高知工場に300mmウェーハ対応の新工場を建設することを発表した。設備投資額は総額で2000億円規模する見通し。2001年中に約100億円をかけて、建屋を着工する。クリーンルームの設置、装置の導入は半導体市況を見て決めていくというが、2002年中にも装置を導入、2003年の稼働開始を目指す。さらに2005年にはフル稼働に持っていく。クリーンルーム面積は8000～1万㎡、生産能力はフル稼働時で月産2万5000～3万枚とする計画だ。生産品目としては、システムLSI、先端フラッシュメモリなどが中心となる。プロセスルールは0.15～0.13μmレベルからスタートし、2005年のフル稼働時には0.1μmレベルにまでシュリンクしていく。工場コンセプトに関しては、ミニファブではなく、従来型の大型ライン（メガファブ）に近いものとなり、いくつかのフェーズに分けて展開していくことになる。 なお、同社は先端システムLSIの製造プロセスについて松下電器産業と共同開発を進めており、今回の新工場に関しても松下側に共同出資を呼びかけていく方針だ。日本メーカーとして300mm工場計画で先行するトレセンティ・テクノロジーズ、エルピーダ・メモリはそれぞれ、日立製作所と台湾UMC、日立製作所とNECの合弁企業であり、松下との提携の成否によっては、三菱電機が日本メーカーとしては初めての単独建設となる可能性がある。 （柴田浩一）
（2001年1月10)
■東芝の2001年度投資は2000年度比横這いから微減▼東芝・セミコンダクター社の森本泰生社長は2001年1月9日、2001年度の半導体設備投資に関して、2000年度比で横這いから微減、1500億円前後となるのではないかとの見通しを示した。これは本社インタビューに応えたもの。また、2001年の半導体市場に関しては、2000年比で「10～15％増」という見方を明らかにした。 （柴田浩一）
（2001年1月10) ■SiS、300mm工場着工を発表▼台湾のSiS社は2000年12月21日、台南サイエンスパーク内に300mmウェーハ対応工場と研究開発施設に着工した。同社では16億ドルと投資して、12haの敷地に２つの工場と研究開発施設を建設する計画で、両施設合わせて1500名が勤務する。今回着工した第1工場は2002年完成予定で、フル稼働時の生産能力は月産2万枚を計画している。製品は画像処理チップ、コアロジックおよびそれを中心としたシステムLSIとなる。プロセスは0.15μm以下で、基本的には自社で技術開発を進めるが、他社との提携も視野に入れている。
（2000年12月22)
■日立電線、台湾の化合物半導体メーカーに出資しOEM傘下に▼日立電線は2000年12月19日、台湾の化合物半導体メーカーであるギガ・エピタキシー・テクノロジー（Giga Epitaxy Technology：GET）社に対し、出資およびガリウムひ素（GaAs）系化合物半導体エピタキシャルウェーハの製造技術に関する技術供与を行うことで合意した。日立電線が出資した後のGETの資本金は10億元（約33億円）となり、日立電線の出資比率は51％。 この提携により、当面、GETは日立電線からGaAs半導体の基板の支給を受け、エピタキシャル・ウェーハの生産を行う。販売は日立電線が行い海外顧客に供給する。延床面積1万㎡の工場が2001年4月に完成予定で、2001年第3四半期に150mmまでのMOVPE法によるGaAsエピタキシャル・ウェーハの量産を開始する。2001年に1万2000枚、2005年には12万枚の生産を予定している。2002年度に40億円の売上を目指す。 日立電線は、GaAs半導体の生産を茨城県の高砂工場一ヶ所で行っているが、需要の急増と海外顧客からの現地生産の要求に応えるため、GETをOEM生産会社として傘下に入れ技術提供を行うことで量産体制の早期実現を図る。
（2000年12月22)
■UMC、シンガポールに300mmウェ－ハのファンドリ会社を設立▼台湾のユナイテッド・マイクロエレクトロニクス（United Microelectronics Corporation：UMC）社は2000年12月15日、シンガポールのPasir Risウェーハ・ファブ・パークに世界最先端クラスの300mmウェーハ・ファンドリ会社を設立すると発表した。 新会社には36億ドルが投資される予定で、UMCの子会社として運営される。この計画には独インフィニオン・テクノロジーズ（Infineon Technologies）社も賛同しており、資本参加を計画している。 新会社はUMC、インフィニオン、IBMにより共同開発された0.13μm／0.1μm銅配線、low－kプロセス技術「Worldlogic」を採用したシステム・オン・チップ（SOC）の製造に特化する。Fabは2段階に渡って建設される予定で、最終的な生産能力は月産4万枚となる。着工は2001年第1四半期に開始され、2002年第3四半期に第1段階（モジュールA）への装置導入が行われる予定である。
（2000年12月18) ■NS、2001年度2Q業績を発表▼米ナショナル・セミコンダクター（National Semiconductor：NS）社は 2000年12月7日、2001年度第2四半期（9－11月）の業績を発表した。売上高は 5億9500万ドルで、前年同期実績の5億1390万ドルに対して15.8％増、純利益は 1億670万ドルで前年同期実績9200万ドルに対して20.0％増の増収増益となった。 一方で、当期の受注高は前年同期比19％の減少となった。これは代理店によ る在庫調整およびPC市場の販売鈍化によるものと分析している。これらの要因 から2001年度第3四半期の売上高は直前期比で最大10％程度の減少となる可能性 があるとしている。2000年末以降はワイヤレス機器の生産、および流通チャネ ルでの在庫調整の終了から、状況は改善すると見込んでいる。 同社では、これらの状況を踏まえ、2001年5月27日に終了する2001年会計年度 の売上高は、前年比で10％程度の成長になると予測している。
（2000年12月11) ■インテル、2000年度4Qの売上予測を下方修正▼米インテル（Intel）社は2000年12月7日、2000年度第4四半期（2000年10－12 月）の売上高が前期実績と同等もしくはプラスマイナス1～2％となり、当初の 予測を下回る見込みであることを発表した。パソコン需要の鈍化による注文の 取り消しなどが原因という。同社は、2000年度第3四半期の業績を発表した時点 で、第4四半期の売上高を第3四半期実績87億3100万ドルに対して4～8％の成長 と予測していた。また、新規開発研究費などを含む営業費用も前期実績の23億 ドルと同等となる見通しで、6～8％の増加とした先の予測を下方修正した。な お、粗利益率は当初の予測通り63％（プラスマイナス1％）となる見通しである。 また、米LSIロジック（LSI Logic）社、米サイプレス社なども2000年10－12 月期業績予測の下方修正を発表している。
（2000年12月11) ■エルピーダメモリ、300mmウェーハ工場の新設を発表▼NECと日立製作所が共同出資するDRAMメーカー、エルピーダメモリは2000年11月28日、NEC広島敷地内に300mmウェーハ対応工場を新設することを発表した。2001年1月に着工、2002年4月から稼働開始の予定。生産能力はフル稼働時で月産2万枚。月産3000枚程度から生産を開始、半年から1年で同1万～1万5000枚に拡大、1年半以内にフル稼働にまで能力を引き上げる計画である。自社開発した0.13μmプロセスによる256MDRAMから生産を開始するほか、512MDRAMの生産も検討している。 ■アナログ・デバイセズ、広帯域アクセス通信関連企業を買収▼米アナログ・デバイセズ（Analog Devices）社は2000年11月20日、広帯域アクセス通信などネットワーク用半導体・ソフトウェアの開発会社である米チップロジック（Chiplogic）社を買収すると発表した。買収は株式取得の形で行われ買収金額は135万ドル。今回の買収でxDSL、無線通信、光通信など広帯域通信LSIのプロトコル層など上部レイヤの強化を図る。
（2000年11月22日） ■住友電気工業、化合物半導体事業を強化▼住友電気工業は2000年11月6日、GaAs、InPなどの化合物半導体事業に関して、米国、台湾に生産拠点を新設するなどの事業強化計画を発表した。この結果、2000年度の化合物半導体事業への設備投資は170億円に上る。 具体的には、米国に三井物産の協力を得て新会社を設立し、既存の米国内販売関連会社を新会社に集約すると共に、オレゴン州にGaAsの生産拠点を設立して製販一体体制を敷く。生産拠点は2001年8月に稼働させ、将来的にはInPの生産も行う。また、台湾の新竹にGaAs加工とマーケティング、販売を行う子会社を設立し、2000年12月から創業を開始する。 すでに国内では、伊丹製作所、横浜製作所でGaAs、InP生産ラインの増設、新設を進めており、それぞれ2001年4月、2001年6月に生産を開始する予定である。さらに、GaAs、InPなどの結晶専用の生産拠点として新会社を年内に神戸市に設立し、2001年7月より開始する予定である。 これらの事業計画により、化合物半導体事業に対する2000年度の設備投資は、当初予定の100億円から170億円に増額され、2002年度には1999年度実績比6倍にあたる、600億円の売上高を目指す。
（2000年11月13日） ■IBM、上海に半導体組立工場を建設▼米IBMは2000年10月30日、中国上海市に半導体組立工場を建設すると発表した。この計画は、10月10日に発表した50億ドルの半導体関連事業投資計画の一環で、投資金額は3億ドル。 新工場では、「サーフェース・ラミナー」、「ハイパーBGA」といったIBM独自のパッケージ技術による、ラミネート材料をベースとしたフリップチップ・キャリアの組立が行われる。webサーバなどのネットワーク機器向けの高周波・広帯域通信LSIが生産される予定である。
（2000年11月1日） ■ルーセント・テクノロジーズ、光通信用コンポーネント事業に6500万ドルを投資▼米ルーセント・テクノロジーズ（Lucent Technologies）社は2000年10月23日、光通信用コンポーネントに関連する研究所・生産設備・事務所の拡張に6500万ドルを投資することを発表した。 ペンシルバニア州Breinigsvilleのオプトエレクトロニクス・センターに、新しく12万ft2、3階建てのオフィス兼研究施設を2800万ドルを投じて建設開始した。2001年春に完成の予定である。また既存スペースにも1400万ドルを投じて生産能力を増強する。さらに、同州Upper Macungie Townshipの12万5000ft2の敷地を借り、ファイバアンプの生産施設として利用する予定で1100万ドルを投資する。ダラスの生産基地では、買収したHerrmann Technology社の既存私設の隣りに1万6000ft2の生産施設を建設した。新しい私設では、DWDM（Dense Wavelength Division Multiplexing）向けシンフィルム・フィルタの生産を行い、2001年5月までに全社の生産能力を2倍にする。メキシコのMatamorosでは、8万ft2の生産施設の建設が開始されており、2001年第1四半期に稼働を開始する予定である。生産品目はトランスミッタ、レシーバ、トランスポンダ、ファイバアンプで、同施設への投資額は500万ドル。また、今後1年6ヶ月から2年の間に、事務所や研究スペースのうちの3万ft2をレーザの量産施設に変更していく。既に1万ft2は作業が開始されており、このプロジェクトへの投資金額は700万ドル。 この一連のプロジェクトにより新たに750人の雇用が予定されている。
（2000年10月25日） ■モトローラ、2000年度3Qの業績を発表▼米モトローラ（Motorola）社は2000年10月10日、2000年度第3四半期（7－9月）の業績を発表した。全社の総売上高は94億9300万ドルで、前年同期実績の80億6200万ドルに比べ17.7％増、純利益は5億9800ドルで、前年同期実績の3億6100万ドルに比べ65.7％増の増収増益となった。 半導体部門では、売上高が20億7100万ドルで、前年同期実績の15億8700万ドルに比べて30.5％増、純利益は1億9000万ドルで前年同期実績の6000万ドルに比べて216.6％増の増収増益となった。また、受注高も22億と前年同期比で19％の成長となった。ネットワーク、コンピュータ、無線通信などの機器向けに、ワールドワイドで好調に売上を伸ばしており、特にアジア地域が好調であった。
（2000年10月16日） ■IBM、過去最大の50億ドル規模半導体投資を発表▼米IBMは2000年10月10日、過去最大規模である50億ドルを半導体製造の設備投資にあてると発表した。同計画では、ニューヨーク州イースト・フィッシュキル事業所に25億ドルを投資し、300mmウェーハに銅配線、SOI（Silicon on insulator）、低誘電率絶縁膜などのプロセスを導入する予定である。また0.10μmプロセスを量産ラインで初めて導入する。同工場は2002年の第2四半期より稼働開始し、2003年初旬のフル稼働に向けて1000人の従業員を雇用する。 その他、同計画の一環として、バーモント州バーリントンの工場、フランスのインフィニオン（Infineon）社との共同事業であるAltis Semiconductor、日本の野洲事業所などでも設備を増強する。野洲事業所には約1億ドルの投資を予定しており、既存の200mmウェーハ、0.25μmプロセスの設備増強にあてられる。2001年5月に稼働開始予定。 今回の大規模な設備投資により、インターネットビジネスの急成長にともなう高機能サーバ、インターネット接続機器用半導体の需要増に対応する。
（2000年10月11日）
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