CMOS RFデバイス技術

『CMOS RFデバイス技術の基礎から
応用に至る技術の全貌を把握できるレポート』

『執筆者からのメッセージ』
　本書は、CMOS RF技術の基礎から応用に至る技術の全貌が把握できるように執筆されている。基礎として、微細MOSデバイスや受動素子の特性に関して概説する。応用技術としては、低雑音増幅回路、ミキサ、電圧制御発振回路、アンテナ・スイッチ、電力増幅回路といったCMOS RF基本回路、及びこれらの技術を用いた集積化送受信機の構成について紹介する。 本書は，CMOS RF技術の基本的事項をいち早く習得することのできる入門書である。

＜目　次＞

　第1章　緒論
　　1.1 CMOS RF技術
　　1.2 CMOS RF技術の現状

　第2章　微細MOSデバイスの特性
　　2.1 微細MOS デバイスのDC 特性
　　2.2 MOS デバイスの寄生素子と小信号等価回路
　　2.3 MOS デバイスの電力利
　　2.4 NQS 効果
　　2.5 歪み
　　2.6 ミスマッチ
　　2.7 雑音特性
　　　2.7.1 熱雑音
　　　2.7.2 雑音パラメータ
　　　2.7.3 1/f 雑音
　2.8 MOS デバイスの性能向上方法
　2.9 高周波電力増幅用MOS デバイス

　第3章　CMOS RF回路用受動素子
　3.1 シリコン基板の特性
　3.2 キャパシタ
　3.3 スパイラル・インダクタ
　3.4 抵抗
　3.5 可変容量
　3.6 ボンディング・パッド，保護素子，パッケージ
　3.7 受動素子の課題と展望
　　　3.7.1 受動素子の占有面積
　　　3.7.2 受動素子の損失
　　　3.7.3 高周波モジュールとしての小型化

　第4章　CMOS RF基本回路
　4.1 低雑音増幅回路
　　　4.1.1 CMOS 低雑音増幅回路の構成
　　　4.1.2 実効トランス・コンダクタンス
　　　4.1.3 CMOS 低雑音増幅回路の雑音特性
　　　4.1.4 CMOS 低雑音増幅回路の歪み
　4.2 ミキサ
　　　4.2.1 ミキサの原理
　　　4.2.2 イメージ抑圧技術
　　　4.2.3 ミキサにおける雑音
　　　4.2.4 ミキサにおける歪み
　4.3 電圧制御発振回路
　　　4.3.1 電圧制御発振回路の特性
　　　4.3.2 発振動作モード
　　　4.3.3 位相雑音
　　　4.3.4 I/Q LO 信号の発生方法
　　　4.3.5 位相同期回路
　4.4 アンテナ・スイッチ
　4.5 電力増幅回路
　　　4.5.1 電力増幅回路の基本
　　　4.5.2 E級電力増幅回路

　第5章　CMOS RF技術による送受信機の集積化
　5.1 集積化のための受信方式
　5.2 ダウン・コンバージョン・ミキサのアイソレーションと偶数次歪み
　5.3 IF アナログ回路技術
　　　5.3.1 A/D 変換器の性能
　　　5.3.2 IF 周波数の設定とIFフィルタ
　　　5.3.3 バンドパス・サンプリング技術
　　　5.3.4 Δ-Σ 変調技術
　5.4 将来展望

　付録
　付録A キャリヤ速度の飽和を考慮したMOSFET の特性
　付録B 電力利得
　　　B.1 電力利得の定義
　　　B.2 最大有能電力利得
　　　B.3 単方向電力利得
　付録C 高周波でのMOSFETのゲート電極抵抗
　付録D 雑音パラメータと雑音整合
　付録E 位相雑音のモデル
　付録F E級電力増幅回路の解析

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