ウェーハレベルCSP技術

『ウェーハレベルCSPの位置付け、特徴、
現状の技術と課題、今後の展開について解説』

『著者による要約』
　携帯電話機やMP3プレーヤ、デジタル･カメラなど携帯機器を中心としたシステムの小型化技術開発はますます加速している。ウェーハレベルCSPは、部品の一つであるLSIの究極の小型パッケージング技術で、システムの小型化を支える根幹の技術と言える。
　本Reportでは、半導体パッケージの動向からウェーハレベルCSPの位置付け特徴、現状の技術、技術課題、今後の展開について述べる。

＜目　次＞

　はじめに

　第1章　ウェーハレベルCSPの概略
　　1.1　半導体パッケージの動向
　　1.2　各種のウェーハレベルCSP
　　　1.2.1　樹脂封止型
　　　1.2.2　フリップチップ型
　　　1.2.3　ガラス付き型
　　1.3　ウェーハレベルCSPの特徴

　第2章　技術の現状
　　2.1　設計技術
　　　2.1.1　パッケージ設計概要
　　　2.1.2　再配線層へのパッシブの導入例
　　2.2　プロセス技術

　第3章　技術課題

　第4章　ウェーハレベルCSPの将来性と今後の展開
　　4.1　LSI内蔵基板への適用
　　　4.1.1　部品内蔵基板技術とは
　　　4.1.2　ウェーハレベルＣＳＰ内蔵基板技術の特徴
　　　4.1.3　LSI内蔵基板技術の信頼性評価
　　　4.1.4　ZigBeeモジュールへの適用評価
　　4.2　3次元積層への適用

閑野 義則(シズノ ヨシノリ）

1980年 群馬大学工学部合成化学科卒業
1982年 群馬大学大学院 工学研究科合成化学専攻修了
1982年 沖電気工業(株)入社（半導体パッケージの開発に従事）
現在、半導体パッケージの高密度実装開発に従事

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