微細CMOSトランジスタ技術
筆者：杉井 信之（日立製作所 中央研究所）
発行日：2008年2月20日発行
体裁：B5変型判 104ページ
定価：4,830円（税込）
ISBN：978-4-901790-67-3
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『歪Si技術、High-k 金属ゲート技術、
複数ゲート、3次元デバイス構造形成技術に
焦点を絞って最近の進展を解説』
CMOSデバイス開発の中で重要な技術と目されてくるようになった、歪Si技術、High-k 金属ゲート技術、複数ゲートないしは3次元デバイス構造形成技術に焦点を絞って最近の進展をまとめたものである。このような技術が導入されてきた背景には、微細化に伴って顕在化してきたさまざまな課題がある。それらは材料プロセス上の限界、材料物性上の限界、物理的限界などのさまざまな要因による。そこで本書では、背景となる微細CMOS特有の課題をまとめ、それらを解決する手段として各種技術を紹介するという構成とした。
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＜目 次＞
はじめに
第1章 LSIの集積化とCMOSの微細化
1.1 ムーアの法則とスケーリング則
1.2 スケーリング則の破綻と電力爆発の危機
1.3 ITRSロードマップ
第2章 微細CMOSで発生する現象
2.1 短チャネル効果
2.2 トンネル現象によるリーク
2.3 チャネルの量子化とゲート空乏化
2.4 速度飽和と速度オーバシュート
2.5 素子特性ばらつきの増大
2.6 短チャネル化の限界
第3章 微細化を持続させるための技術
3.1 歪Si技術
3.2 High-k・金属ゲート
3.3 複数ゲートや3次元構造トランジスタ
3.4 将来展望
おわりに
参考文献
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杉井 信之 （スギイ ノブユキ）
日立製作所 中央研究所
ソリューションLSI研究センタ ULSI研究部
1988年3月
東京大学大学院工学系研究科化学エネルギー工学修士課程修了
1988年4月～1991年3月
（株）日立製作所中央研究所入社 超電導薄膜材料
1991年4月～1994年3月
財団法人国際超電導産業技術研究センター
超電導工学研究所出向 超電導材料、薄膜技術
1994年4月～1996年9月
（株）日立製作所中央研究所
超電導エレクトロニク ス、酸化物キャパシタ技術
1996年10月～現在
SiGeヘテロ構造、歪Siデバイス、SOIデバイスの
研究開発
工学博士
国立大学法人 東京工業大学 大学院総合理工学研究所
連携教授
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Focus Report シリーズ |
2008年2月20日発行
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