CMPの実践的基礎技術筆者：渡邉
純二
発行日：2004年8月24日
体裁：B5変型判 87ページ
発行所：EDリサーチ社
定価：3,675円（税込）
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『CMP技術論の形でまとめたレポート』 本書は「CMP技術論」の形でまとめたものである。その意味で
主観的な発想や記述と思われる箇所が多々認められるかも しれない。部分部分のデータは単なる参考に過ぎず、パートパート における技術展開の考え方を著者と議論する積もりで読んでいただけたら
幸いである。その意味でCMP技術・装置の研究開発を担当するCMPのプロに 部分の拾い読みではなく最初から最後まで通して読んで頂きたい。 著者との議論の中から、必ず新しい発想が生まれるものと期待する。
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＜目 次＞
第1章 平坦化CMP技術の概要
1.1 CMP技術の基礎
1.2 平坦化技術におけるCMPの位置付け
1.3 平坦化CMPの目標
1.4 平坦化CMPと基板CMPの技術内容の相違
1.5 今後の平坦化CMP技術
第2章 平坦化CMPのプロセスと要因
2.1 はじめに
2.2 平坦化CMPのプロセス
2.3 平坦化CMPの装置
2.4 平坦化CMPの特性を左右する要因
2.5 平坦化CMPの評価技術
2.6 まとめ
第3章 平坦化CMP装置と使用部材の特性について
3.1 はじめに
3.2 研磨パッド・システム
3.3 平坦化CMP装置構成と特性
3.4 研磨パッド・コンディショニング技術
3.5 研磨スラリ
3.6 研磨面洗浄技術
3.7 まとめ
第4章 層間絶縁膜（ILD膜）平坦化研磨技術
4.1 はじめに
4.2 層間絶縁膜（SiO2酸化膜）のCMPメカニズム
4.3 層間絶縁膜のCMP特性
4.4 層間絶縁膜の平坦化の実際
4.5 層間絶縁膜平坦化CMPの今後の展開
4.6 まとめ
第5章 メタル膜の平坦化CMP技術
5.1 はじめに
5.2 メタル膜の種類と平坦化CMP技術の現状
5.3 Cu膜平坦化CMP用のスラリ選択に関する考察
5.4 まとめ
第6章 平坦化CMP評価技術
6.1 はじめに
6.2 平坦化CMPの目標に対する評価技術
6.3 まとめ
第7章 平坦化CMP技術への提案
7.1 はじめに
7.2 小径パッドによる高速平坦化CMP技術
7.3 平坦化CMPのプロセス・モデュレーション
7.4 まとめ
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著者： 渡邉 純二（ワタナベ ジュンジ）
1968年 大阪大学大学院修士課程精密機械工学専攻修了
1968年 電電公社電気通信研究所入所
1968年～1990年 半導体部品・材料、光通信用部品・材料、磁気記録部品・材料の超
精密加工技術の研究・開発に従事。 主席研究員。 熊谷記念賞、精密工学会論文賞、技術賞（複数回）等受賞。
1990年 日本電信電話株式会社 退社 住友金属工業株式会社未来技術研究所入所。
シリコンウエハ、半導体製造装置評価技術、薄膜磁気ヘッドプロセス技術の研究・開 発に従事。
1993年からCMP装置開発、事業化。
1995年
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター 客員教授
1998年 熊本大学教授（工学部）現在に至る。
SiC、ダイヤモンド、GaN、GaAs等半導体基板の超精密加工技術の研究継続。
特に、紫外光照射による光触媒効果、固体触媒効果を応用した半導体結晶のメカニカ ル・ケミカル加工のメカニズムと技術・加工装置開発に興味を持つ。 また、生体情報取得マイクロセンサーの開発にもプロジェクト参加中。
精密工学会、応用物理学会、砥粒加工学会会員。
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2004年8月24日発行
CMPの実践的基礎技術
定価：3.675円（税込）
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