FeRAM技術の基礎と課題筆者：嶋田恭博（松下電器産業）
発行日：2002年8月19日
体裁：B5変型判 40ページ
定価：2,100円（税込）
ISBN：4-901790-15-3ご購入はこちらから
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『強誘電体メモリ（FeRAM）の物理的
側面に焦点を当てたレポート』 本書は、LSI搭載への実用化が拡がりつつある強誘電体メモリ（FeRAM）の物理的側面に焦点を当て、特に不揮発性の物理的な意味、その安定性に影響する物理的諸因子を描き出すことを目的としている。個々の物理現象の説明にあたっては図を多用し、初心者にも直感的理解が得られるよう努めている。
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＜目次＞
第1章 記憶作用の物理的側面
1.1 メモリ・デバイスの熱力学的考察
1.2 不揮発メモリの現状と課題
1.2.1 シリコン・ベースの不揮発性メモリ
1.2.2 不揮発性機能材料メモリ
第2章 誘電体の電気的性質
2.1 一様な誘電体の内部の電場
2.2 一様でない誘電体の内部の電場
2.3 電気偏位
2.4 誘電体を含む場のポアソン方程式
2.5 半導体の内部の電場
第3章 強誘電体の電気的性質
3.1 ペロブスカイト型強誘電体
3.2 リーク電流
3.3 絶縁破壊
3.4 ヒステリシス特性
3.5 ファティーグ
3.6 分極のパルス測定
3.7 リテンション
3.8 インプリント
おわりに
参考文献
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嶋田恭博（シマダ
ヤスヒロ）
松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
強誘電体デバイス研究チーム チーム・リーダー
1982年3月 電気通信大学物理工学科卒、
1982年4月 松下電器産業(株)入社、
2001年4月より現職。
応用物理学会会員。
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Focus Report シリーズ |
2002年8月19日発行
FeRAM技術の基礎と課題
定価：2,100円（税込）
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