Gビット級の超LSI時代を迎え、プラズマを用いたエッチング加工技術にもより高精度なものが要求されてきている。従来は、プラズマはどちらかといえばブラック・ボックスとして扱われ、基板表面で起きる反応現象のみを考えてきた。しかし、プラズマを用いて0.25μm以下のレベルの超微細なパターンをエッチング加工したり、膜を堆積するためには、プラズマ中で起きる諸現象を十分に制御しなければならなくなってきている。また、0.1μm時代をひかえて低圧高密度プラズマ・エッチングにおいて、（1）チャージアップ・ダメージ、（2）さらなる大口径化（12インチ化）の困難性、（3）地球温暖化問題などいくつかの大きな問題にぶつかっている。これらの問題を解決するためには、低圧で高密度プラズマを生成するだけでなく、プラズマ中の電子エネルギおよびその電子と原子分子の衝突による解離・電離過程の高精度な制御が必要であり、ガス構造設計による新しいガス・ケミストリが必要である。 低圧高密度プラズマ・エッチング技術における諸問題点と、それらをブレーク・スルーするために提案されている新しい技術について述べる。
1．序論
2．低圧高密度プラズマにおける諸問題
3．パルス変調プラズマの諸特性とエッチング・プロセスへの展開
4．プラズマエッチングにおける放電周波数の効果
5．高アスペクト酸化膜エッチングにおける新ガスケミストリー
6．今後の展望
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Focus Report シリーズ
2002年7月1日発行 エッチング技術の最新動向 定価：2,100円（税込） ISBN：4-901790-12-9 ご購入はこちらから
FR19 光リソグラフィ技術Ⅲ -実践的基礎と応用-
Gビット級の超LSI時代を迎え、プラズマを用いたエッチング加工技術にもより高精度なものが要求されてきている。従来は、プラズマはどちらかといえばブラック・ボックスとして扱われ、基板表面で起きる反応現象のみを考えてきた。しかし、プラズマを用いて0.25μm以下のレベルの超微細なパターンをエッチング加工したり、膜を堆積するためには、プラズマ中で起きる諸現象を十分に制御しなければならなくなってきている。また、0.1μm時代をひかえて低圧高密度プラズマ・エッチングにおいて、（1）チャージアップ・ダメージ、（2）さらなる大口径化（12インチ化）の困難性、（3）地球温暖化問題などいくつかの大きな問題にぶつかっている。これらの問題を解決するためには、低圧で高密度プラズマを生成するだけでなく、プラズマ中の電子エネルギおよびその電子と原子分子の衝突による解離・電離過程の高精度な制御が必要であり、ガス構造設計による新しいガス・ケミストリが必要である。
