Low-kドライ・エッチング技術

『一般的なSiOCH系の材料を例に
エッチング反応の変動などについて解説』

『筆者の言葉』
　最近の高速低消費電力を目指したデバイスでは、低誘電率材料（Low-k）の使用が一般化しましたが、この加工を安定して実現するためにはドライエッチングに使用されるプラズマ自身、および、このプラズマから入射する粒子と材料の素性によって敏感に変化する表面状態を的確に制御することが望まれます。本稿では一般的なSiOCH系の材料を例にとり、加工のメカニズムを定量的に記述するとともに、材料の組成や密度、構造などの差異によってエッチング反応がいかに変動するか等について解説されています。これから初めてSiOCH材料の加工に携わろうという方に参照して頂けますと幸いです。

＜目　次＞

　はじめに

　第1章　SiOCH加工
　　1.1　SiOCH
　　1.2　プラズマの制御
　　　1.2.1　解離の制御
　　1.3　表面反応の制御
　　　1.3.1　基本モデル
　　　1.3.2　ポリマの形成について
　　1.4　反応の変動要因
　　　1.4.1　膜組成依存
　　　1.4.2　膜密度依存
　　　1.4.3　構造による変化
　　　1.4.4　選択比について
　　　1.4.5　プロセス制御のポイント

　第2章　界面の制御
　　2.1　Cu表面の制御
　　2.2　Low-kダメージ

　第3章　おわりに
　

辰巳哲也(タツミ　テツヤ）

1987年　早稲田大学理工学部電子通信学科卒業
1989年　早稲田大学大学院理工学研究科卒業
1989年　ソニー（株）入社
　 　 　ドライ・エッチング技術の研究開発に従事
1997年　技術研究組合　超先端電子技術開発機構（ASET ）
　 　　プラズマ技術研究室に出向
　 　　プラズマ計測、表面反応モデリングの基礎研究に従事
2001年　ソニー（株）に帰任
　　 　プラズマ・プロセスのデバイス応用・量産支援
　　 　現在に至る

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