SiC半導体の基礎と応用
筆者：奥村 元
児島一聡
福田憲司 共著
（(独)産業技術総合研究所）
発行日：2008年5月2日発行
体裁：B5変型判 44ページ
定価：3,675円（税込）
ISBN：978-4-901790-68-0
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『SiC半導体の基礎から応用までの
最新の技術トレンドを概説』
現代社会において、電力エネルギーの消費は増大の一途をたどっている。省エネと両立した社会の持続的発展のためには、その効率的な変換／制御技術（パワーエレクトロニクス）が今後ますます重要となる。ワイドギャップ半導体で
ある炭化珪素（SiC）のエレクトロニクスへの活用は、そのための基幹技術の一つとして注目されていたが、最近いくつかの技術的ブレークスルーを通してにわかに現実味を帯びてきた。本書では、SiC半導体の結晶成長から、デバイス作製、システム応用までの一貫した技術展開を念頭に置き、基礎から応用までの最新の技術トレンドを概説する。
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＜目 次＞
第1章 SiC半導体とパワーエレクトロニクス
1.1 ムーアの法則とスケーリング則
1.2 スケーリング則の破綻と電力爆発の危機
1.3 ITRSロードマップ
第2章 SiCの基礎的性質
2.1 結晶構造とバンド構造
2.2 SiCのワイドギャップ半導体としての諸物性
第3章 SiCバルク単結晶技術
3.1 SiC結晶作製技術の基礎
3.2 SiCバルク単結晶作製の基礎
3.3 バルク単結晶技術の最前線
3.4 課題
第4章 SiCホモエピタキシャル成長技術
4.1 SiCホモエピタキシャル成長技術の基礎
4.2 エピタキシャル成長技術の最前線
4.3 課題
第5章 SiCプロセス/素子技術とその応用
5.1 SiC素子のプロセス技術
5.2 SiC素子技術
5.3 SiC素子の応用
おわりに
参考文献
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奥村 元 （オクムラ ハジメ）
(独)産業技術総合研究所 エネルギー半導体エレクトロニクス研究ラボ 研究ラボ長
1981年3月 京都大学大学院理学研究科化学専攻 修士課程 修了
1981年4月 工業技術院電子技術総合研究所入所
2000年4月 (財)新機能素子研究開発協会 出向
2001年4月 (独)産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター
2008年4月 (独)産業技術総合研究所 エネルギー半導体エレクトロニクス研究ラボ 現在に至る
国立大学法人埼玉大学大学院理工学研究科連携教授、東京理科大学理工学研究科客員教授、工学博士
児島 一聡 （コジマ カズトシ）
(独)産業技術総合研究所 エネルギー半導体エレクトロニクス研究ラボ
1997年3月 筑波大学大学院博士課程工学研究科物質工学専攻 修了
1997年4月 日本原子力研究所（現 日本原子力研究開発機構） 入所
2000年4月 (財)新機能素子研究開発協会 入所 2003年4月 (独)産業技術総合研究所 入所
2005年12月 昭和電工株式会社 出向
2007年4月 (独)産業技術総合研究所 現在に至る
工学博士
福田憲司 （フクダ ケンジ）
(独)産業技術総合研究所 エネルギー半導体エレクトロニクス研究ラボ SiCパワーデバイスチーム リーダー
1989年4月 旧川崎製鉄株式会社入社
2000年4月 旧工業技術院電子技術総合研究所 入所
2001年4月 (独)産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター
2008年4月 (独)産業技術総合研究所 エネルギー半導体エレクトロニクス研究ラボ 現在に至る
理学博士
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Focus Report シリーズ |
2008年5月2日発行
SiC半導体の基礎と応用
定価：3,675円（税込）
ISBN：978-4-901790-68-0
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