エルピーダメモリは、90nmプロセスの512M DDR2 SDRAMの開発を完了したと発表した。リソグラフィはKrFレーザ光源を使用した。OPC技術を使い、歩留まりの改善を図った結果、ウェーハ当たりの配線のショート、断線などの欠陥は、100nmプロセスと同等のレベルにまで達しているとしている。コンタクト・ホールはエルピーダ独自のシリサイド技術で接触抵抗を低減した。512Mの容量と667Mbpsの高速性能をもつSDRAMの実現を目指す。さらに、1Gビットにもこのプロセスを応用するとしている。

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