米Novellus Systems社はSEMICON Japan2004に隣接したホテルで行なっている展示会で、CVDによって形成された新材料膜の特性を改善するための新しい紫外線熱処理（UVTP）技術を発表した。同技術は紫外線の光子エネルギーと熱処理を組み合わせることで、膜特性を向上させる。素子形成プロセスに応用した場合、SiN膜の応力を増大させることが可能になり、1.6Gパスカル（Pa）の高応力値を実現している。この高応力化により歪みシリコンが調整され、トランジスタの速度を高めることができる。配線工程では低誘電率膜形成後に同処理を行なうことで、多孔質膜であっても誘電率を劣化させることなく強度を2倍以上高めることを実証している。同社では同プロセスの処理評価システムを既に数台受注しており、今後数ヶ月間で数台のモジュールを出荷する予定である。また、同技術の新しいアプリケーションについての開発も進めている。

URL：