東京応化工業は、理化学研究所と共同で、1nmの厚さの保護膜で、従来のフォト･レジストよりも高いエッチング耐性をもつ保護膜を作成したと発表した。ウェット型ナノ・コーティング方式を採用、コーティング剤を1回コーティングするだけでレジスト膜単独より10倍高いエッチング耐性が実現できるという。レジスト・パターンをもつSi基板上に保護膜形成剤を含むコーティング溶液を滴下し、反応するまで数秒から数十秒放置する。反応終了後洗浄溶液を滴下しながら基板を回転させ、表面を洗浄する。このプロセスは既存の半導体プロセスにすぐに組み込みができるという。06年秋に製品化する予定。

URL：http://www.tok.co.jp/index-j.htm