ルネサス テクノロジは11月20日、PCやサーバなどのCPU向けボルテージ・レギュレータ用に、ドライバICとハイ・サイド/ロー・サイドの二つのパワーMOSFETを56ピンQFNパッケージに集積した「R2J20602NP」を製品化した、と発表した。06年12月よりサンプル出荷を行う。同製品は、ドライバICとハイ・サイド/ロー・サイド・スイッチ用二つのパワーMOSFETを集積する米Intel社提唱のパッケージ製品規格「integrated Driver-MOSFET（DrMOS）」に準拠し、同規格に準拠した同社の第一弾製品「R2J20601NP」に続く製品で、プロセス変更やパッケージ構造改良などにより、さらなる性能向上を図った第2世代品。サンプル価格は735円。特徴は(1)最大出力電流40Aを実現。高性能パワーMOSFET、新規開発の高放熱/低損失パッケージ、およびパワーMOSFETの性能に最適化した高速ドライバICの各技術により、業界最高性能の高出力電流40Aを実現。これによりCPUやFPGA、メモリなどの電子部品の大電流化に対応できる。(2)同社従来品と比較し、電力損失を20％以上低減。スイッチング周波数が1MHz動作において、最大効率は業界最高レベルの約89％（Vin=12V、Vout=1.3V時）を達成。出力電流が25A時における電力損失は、業界最小レベルの4.4Wであり、従来品の「R2J20601NP」と比較し、20％以上の低損失化を図った。同製品を用いることで高効率の電源を構成し、発熱を抑えることができるため、機器の省エネルギ化を図れる。(3)第一弾製品とピン配置互換の小型パッケージ。
　インターネットなどのブロードバンド化が進むにつれ、PCやサーバは扱う情報量の増大、また高機能化等が図られている。これに伴い、CPUやFPGA、メモリなどの電子部品は低電圧・大電流化が進み、電力を供給する電源には、高速応答、低電圧化、大電流化と同時に高効率化や小型化が要求されている。同社は、これまでVRの高周波化・高効率化のためのキー・デバイスとして、単体の高性能パワーMOSFET、並びにDrMOS準拠の第一弾製品「R2J20601NP」を市場に提供してきた。しかし、ブレード・サーバやディスク装置などの分野においては、装置全体の小型化、高密度化への要求が強まっており、電源回路にもさらなる小型化、低損失化、低発熱化の実現が必須となっている。このため、電源回路を構成する上でキーとなるパワー・デバイスに対しては、より一層の低損失性能が求められている。今回、このような市場ニーズに対応するため、従来品より20%以上の低損失性能を実現したDrMOS準拠の第二弾製品「R2J20602NP」を製品化した。

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