半導体・FPD業界の出版社

2009年1月15

Infineon、LTE用と3G用の新型RFチップを発表

 独Infineon Technologies社は2009年1月14日、第2世代LTE(Long Term Evolution)RFトランシーバ「SMARTi LU」のサンプル出荷を開始したことを発表した。同製品は、シングルチップの65nm CMOSプロセスで製造された1チップ RFトランシーバ。DigRFデジタル・ベースバンド・インターフェイスによって2G/3G/LTE機能を提供、LTEネットワークでは最速の最大150Mbpsという高速データ転送速度を実現している。クアッドバンドGSM/EDGEによって、最大6つの3G/LTEバンドに同時対応します。LTE FDD class 4(下り:最大150Mbps、上り:50Mbps)、MIMO Rxダイバーシティ(2Rx + 1Tx)、HSPA+、HSPA、WCDMA、GSM/GPRS/EDGEなど、豊富な機能を搭載している。
 また、同時に3G RFトランシーバ・ファミリとして支持されている「SMARTi UE」ファミリの第3世代製品である「SMARTi UEmicro」も発表した。同製品は外部ローノイズアンプ(LNA)が不要で、Rxフィルタなしのシンプルな共通帯域を使用するRFフロントエンドを備えていることから、3GRFシステム設計にかかるコストを最小限に抑えられるよう最適化されており、デュアルバンドWCDMA/EDGEに対応したRFシステムの総部品コストを6.50米ドルで実現している。  サンプル出荷は、2009年第2四半期、量産出荷は2009年末に開始する予定。

URL:http://www.infineon.com/cms/en/corporate/press/news/releases/2009/INFWLS200901-024.html

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